[發(fā)明專利]III族氮化物低損傷刻蝕方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510868081.1
• 申請日: 2015-12-02
• 公開（公告）號: CN105355550A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉新宇;黃森;王鑫華;魏珂
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 呂雁葭

1.一種III族氮化物結(jié)構(gòu)低損傷刻蝕方法，包括：

在III族氮化物結(jié)構(gòu)上形成刻蝕掩膜，所述III族氮化物結(jié)構(gòu)形成于襯底上；以及

利用刻蝕掩膜對III族氮化物結(jié)構(gòu)進行刻蝕，

其特征在于：

在刻蝕過程中，襯底溫度動態(tài)改變或者在200℃到700℃之間的一個恒定溫度點保持恒定。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在刻蝕過程中，襯底溫度根據(jù)以下中的任意一種方式變化：

在200℃到700℃之間變化；

從200℃到700℃線性升溫變化；

從200℃到700℃階梯式升溫變化；

從200℃到700℃階梯式升溫變化，在每一個臺階前段刻蝕，后段不進行刻蝕而是保持恒溫，然后再升溫；或者

從200℃到700℃階梯式升溫變化，在每一個臺階前段不進行刻蝕而是保持恒溫，后段進行刻蝕，然后再升溫。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中III族氮化物包括以下中的任意一種：AlN、GaN、InN、或者是三者的組合Al(In，Ga)N。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中刻蝕掩膜是介質(zhì)材料或金屬材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中介質(zhì)材料包括SiO₂或SiNx，金屬材料包括以下中的任意一種或任意幾種的組合：Ni、Ti、Pt、或者TiN。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，適用于以下中的任意一種：晶體管的柵槽區(qū)域的III族氮化物刻蝕、歐姆接觸區(qū)域的III族氮化物刻蝕、或者是臺面隔離區(qū)域的III族氮化物刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中刻蝕包括以下中的任意一種：

Cl基等離子體刻蝕；

F基與Cl基混合等離子體刻蝕；或者

Ar基與Cl基混合等離子體刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中Cl基等離子體包括以下中的任意一種：Cl₂、BCl₃、或者是兩者的混合等離子體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中刻蝕方法是以下的任意一種：感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、或者感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕二者的組合。