[發(fā)明專利]下電極組件及半導體加工設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510867912.3
• 申請日: 2015-12-01
• 公開（公告）號: CN106816352B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 蘇恒毅;韋剛;李興存;欒大為
• 申請（專利權）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種下電極組件，包括由上而下依次設置的下電極板、絕緣介質層和金屬基座，其中，在所述絕緣介質層中設置有沿其厚度方向貫穿的絕緣塞，所述絕緣塞具有氣體通道，所述氣體通道的出氣端和進氣端分別位于所述絕緣塞的上端面和下端面，通過向所述氣體通道內通入熱交換氣體，而實現(xiàn)對所述下電極板的溫度控制，其特征在于，所述氣體通道為非線性通道；所述非線性通道包括一條或多條螺旋通路，所述螺旋通路采用立體螺旋結構；

其中，所述螺旋通路在其軸向上的截面形狀為矩形，通過設定所述螺旋通路的螺距、內徑、外徑和匝數(shù)，來控制所述螺旋通路的長度和在其軸向上的截面面積；

或者，所述螺旋通路在其軸向上的橫截形狀為三角形，通過設定所述螺旋通路的螺距、內徑、外徑、張角和匝數(shù)，來控制所述螺旋通路的長度和在垂直于所述熱交換氣體的流動方向上的截面面積。

2.根據(jù)權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述螺旋通路的出氣端和進氣端分別位于所述絕緣塞的上端面和下端面；

對于多條螺旋通路，圍繞所述絕緣塞在豎直方向上的中心線間隔、且均勻分布。

3.根據(jù)權利要求1所述的下電極組件，其特征在于，所述螺旋通路的出氣端和進氣端分別位于所述絕緣塞的上端面和下端面；

所述螺旋通路為多條時，均以所述絕緣塞在豎直方向上的中心線為軸線，且相互嵌套；并且，所述多條螺旋通路的外徑相同或不同。

4.根據(jù)權利要求3所述的下電極組件，其特征在于，在所述絕緣介質層中設置有沿其厚度方向貫穿的直通孔，所述絕緣塞設置在所述直通孔中，且所述絕緣塞的外周壁與所述直通孔的孔壁相配合；

在所述非線性通道包括一條所述螺旋通路，或者外徑相同的多條所述螺旋通路時，所述螺旋通路為在所述絕緣塞的外周壁上形成的螺旋凹道；

在所述非線性通道包括外徑不同的多條所述螺旋通路時，外徑最大的所述螺旋通路為在所述絕緣塞的外周壁上形成的螺旋凹道，其余的螺旋通路為在所述絕緣塞的內部形成的閉合通道。

5.根據(jù)權利要求3所述的下電極組件，其特征在于，在所述絕緣介質層中設置有沿其厚度方向貫穿的直通孔，所述絕緣塞設置在所述直通孔中，且所述絕緣塞的外周壁與所述直通孔的孔壁相配合；

在所述非線性通道包括一條所述螺旋通路時，所述螺旋通路為在所述絕緣塞的內部形成的閉合通道；

在所述非線性通道包括多條所述螺旋通路時，每條螺旋通路為在所述絕緣塞的內部形成的閉合通道；并且，所述多條螺旋通路的外徑相同或不同。

6.一種半導體加工設備，包括反應腔室、上電極組件和下電極組件，其中，所述上電極組件設置在所述反應腔室的頂部，用于激發(fā)反應腔室內的反應氣體形成等離子體；所述下電極組件設置在所述反應腔室內，用于承載被加工工件，并控制所述被加工工件的溫度，其特征在于，所述下電極組件采用權利要求1-5任意一項所述的下電極組件。