[發(fā)明專利]基于三相電流感應(yīng)取電和跳閘的自供電保護(hù)裝置及系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510860340.6
• 申請(qǐng)日: 2015-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105375435B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林國(guó)梁;郭志文;曾磊;鄒洋兵;李俊;王新華;陳立波;云飛;嚴(yán)偉誠(chéng);王藝霖;陳欣榮;陳新亮;高晨疑;李輝;趙媛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市中電電力技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H02H3/08
• 分類號(hào): H02H3/08;H02J50/00
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248
• 代理人: 溫玉珍

1.一種基于三相電流感應(yīng)取電和跳閘的自供電保護(hù)裝置，其特征在于，包括：三相整流及穩(wěn)壓控制電路、開(kāi)關(guān)電源隔離電路、脫扣跳閘控制電路和CPU，所述三相整流及穩(wěn)壓控制電路通過(guò)開(kāi)關(guān)電源隔離電路與所述CPU相連接，所述三相整流及穩(wěn)壓控制電路與所述脫扣跳閘控制電路相連接，所述脫扣跳閘控制電路與所述CPU相連接；其中，所述三相整流及穩(wěn)壓控制電路采用PWM驅(qū)動(dòng)芯片實(shí)現(xiàn)電流模式下對(duì)其輸出電壓的檢測(cè)和控制，所述三相整流及穩(wěn)壓控制電路通過(guò)調(diào)節(jié)RC振蕩電路參數(shù)進(jìn)而調(diào)節(jié)其PWM頻率和占空比，當(dāng)所述三相整流及穩(wěn)壓控制電路的取電CT整流后輸出電壓超出設(shè)定電壓值時(shí)，由電流模式驅(qū)動(dòng)PWM驅(qū)動(dòng)芯片輸出的高頻PWM信號(hào)，調(diào)整其導(dǎo)通占空比，進(jìn)而動(dòng)態(tài)降低取電CT整流的輸出電壓以實(shí)現(xiàn)將其回調(diào)至設(shè)定電壓值；

所述三相整流及穩(wěn)壓控制電路包括三相電流互感器、整流橋BR1、整流橋BR2、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、電解電容E1、TVS管TVS1和PWM驅(qū)動(dòng)芯片U1，所述三相電流互感器的輸出端依次與所述整流橋BR1、整流橋BR2和TVS管TVS1相連接，所述MOS管Q1和MOS管Q2分別并聯(lián)于所述整流橋BR1的整流二極管上，所述MOS管Q3和MOS管Q4分別并聯(lián)于所述整流橋BR2的整流二極管上，所述TVS管TVS1與所述PWM驅(qū)動(dòng)芯片U1的電源端相連接；其中，所述三相電流互感器的取電CT二次繞組輸出電流經(jīng)過(guò)整流后，給后端電解電容E1充電，當(dāng)取電CT二次繞組電流過(guò)大，電解電容E1的電壓大于預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，通過(guò)電流模式驅(qū)動(dòng)PWM驅(qū)動(dòng)芯片U1調(diào)整其輸出信號(hào)占空比，控制MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4同時(shí)導(dǎo)通，電流直接通過(guò)這四個(gè)MOS管的導(dǎo)通回路實(shí)現(xiàn)回流，進(jìn)而動(dòng)態(tài)調(diào)整取電CT整流的輸出電壓回調(diào)至到設(shè)定電壓值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于三相電流感應(yīng)取電和跳閘的自供電保護(hù)裝置，其特征在于，所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4的導(dǎo)通內(nèi)阻均在10毫歐以內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于三相電流感應(yīng)取電和跳閘的自供電保護(hù)裝置，其特征在于，所述整流橋BR1包括整流二極管D1、整流二極管D2、整流二極管D3和整流二極管D4，所述三相電流互感器的A相取電CT輸出繞組同名端分別與整流二極管D1的陽(yáng)極和整流二極管D3的陰極相連接，所述三相電流互感器的B相取電CT輸出繞組同名端分別與整流二極管D2的陽(yáng)極和整流二極管D4的陰極相連接，所述整流二極管D1的陰極與整流二極管D2的陰極相連接，所述整流二極管D3的陽(yáng)極和整流二極管D4的陽(yáng)極相連接；所述MOS管Q1的柵極與所述PWM驅(qū)動(dòng)芯片U1的輸出端相連接，所述MOS管Q1的漏極與所述整流二極管D3的陰極相連接，所述MOS管Q1的源極與所述整流二極管D3的陽(yáng)極相連接；所述MOS管Q2的柵極與所述PWM驅(qū)動(dòng)芯片U1的輸出端相連接，所述MOS管Q2的漏極與所述整流二極管D4的陰極相連接，所述MOS管Q2的源極與所述整流二極管D4的陽(yáng)極相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于三相電流感應(yīng)取電和跳閘的自供電保護(hù)裝置，其特征在于，所述整流橋BR2包括整流二極管D5、整流二極管D6、整流二極管D7和整流二極管D8，所述三相電流互感器的C相取電CT輸出繞組同名端分別與整流二極管D5的陽(yáng)極和整流二極管D7的陰極相連接；所述三相電流互感器的A相、B相和C相的取電CT輸出繞組非同名端相互連接，再與整流二極管D6的陽(yáng)極和整流二極管D8的陰極相連接；所述整流二極管D5的陰極與整流二極管D6的陰極相連接，所述整流二極管D7的陽(yáng)極和整流二極管D8的陽(yáng)極相連接；所述MOS管Q3的柵極與所述PWM驅(qū)動(dòng)芯片U1的輸出端相連接，所述MOS管Q3的漏極與所述整流二極管D7的陰極相連接，所述MOS管Q3的源極與所述整流二極管D7的陽(yáng)極相連接；所述MOS管Q4的柵極與所述PWM驅(qū)動(dòng)芯片U1的輸出端相連接，所述MOS管Q4的漏極與所述整流二極管D8的陰極相連接，所述MOS管Q4的源極與所述整流二極管D8的陽(yáng)極相連接。