[發明專利]SOI體接觸器件結構在審
| 申請號： | 201510859875.1 | 申請日： | 2015-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN105280715A | 公開（公告）日： | 2016-01-27 |
| 發明（設計）人： | 宋雷 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳圳添;吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | soi 接觸 器件 結構 | ||
1.一種SOI體接觸器件結構，其特征在于，包括：
半導體襯底；
位于所述半導體襯底上的埋氧化層；
位于所述埋氧化層上的半導體層；
位于所述半導體層上的柵極；
位于所述半導體層的源區和漏區，所述源區和所述漏區分別位于所述柵極兩側下方；
位于所述半導體層的體接觸區；
位于所述半導體層中的二極管，所述二極管的第一極連接所述柵極，所述二極管的第二極連接所述體接觸區；
所述體接觸區為P型摻雜區，所述二極管的第一極為N極，所述二極管的第二極為P極；
所述體接觸區為N型摻雜區，所述二極管的第一極為P極，所述二極管的第二極為N極。
2.如權利要求1所述SOI體接觸器件結構，其特征在于，所述二極管的擊穿電壓大于3.63V。
3.如權利要求1所述SOI體接觸器件結構，其特征在于，所述柵極的俯視結構為T型結構或者H型結構。
4.如權利要求1所述SOI體接觸器件結構，其特征在于，所述柵極的材料為摻雜多晶硅，所述柵極的摻雜類型與所述體接觸區的摻雜類型相反。
5.如權利要求1所述SOI體接觸器件結構，其特征在于，所述體接觸區連接至接觸墊片。
6.如權利要求1所述SOI體接觸器件結構，其特征在于，所述柵極位于第一阱區上，所述第一阱區與所述二極管之間具有淺溝槽隔離區。
7.如權利要求1所述SOI體接觸器件結構，其特征在于，所述二極管的第二極上具有掩模層，所述掩模層的材料為氧化硅。
8.如權利要求1所述SOI體接觸器件結構，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底，所述埋氧化層為氧化硅層，所述半導體層為頂層硅。
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