[發(fā)明專利]植入式磁籽在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510856602.1 | 申請日： | 2015-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN106806014A | 公開（公告）日： | 2017-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 藍(lán)毓杰;楊東潔;尤崇智;蔡育賢 | 申請（專利權(quán)）人： | 財(cái)團(tuán)法人金屬工業(yè)研究發(fā)展中心 |
| 主分類號： | A61B18/04 | 分類號： | A61B18/04 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人： | 馬雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 植入 式磁籽 | ||
1.一種植入式磁籽，其特征在于，包括：
外殼區(qū)；以及
內(nèi)心區(qū)，被所述外殼區(qū)包圍，所述內(nèi)心區(qū)包括空洞，其中所述外殼區(qū)與所述內(nèi)心區(qū)的至少一個的至少局部區(qū)域的相對導(dǎo)磁率大于2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)的相對導(dǎo)磁率大于2，且所述內(nèi)心區(qū)為非晶質(zhì)材料或鐵氧體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)為非晶質(zhì)材料或鐵氧體材料，且所述內(nèi)心區(qū)的相對導(dǎo)磁率大于2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)與所述內(nèi)心區(qū)的相對導(dǎo)磁率皆大于2，且所述外殼區(qū)與所述內(nèi)心區(qū)由相同材料組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)的相對導(dǎo)磁率大于2，且所述內(nèi)心區(qū)為所述空洞。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)的相對導(dǎo)磁率大于2，且所述內(nèi)心區(qū)的相對導(dǎo)磁率小于等于2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)的相對導(dǎo)磁率小于等于2，且所述內(nèi)心區(qū)的相對導(dǎo)磁率大于2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)的第一部分的相對導(dǎo)磁率大于2，且所述外殼區(qū)的第二部分的相對導(dǎo)磁率小于等于2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)的表面具有圖紋，所述圖紋為凹溝或凸出部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述內(nèi)心區(qū)包括不連接的多個所述空洞。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，所述外殼區(qū)與所述內(nèi)心區(qū)的材料皆為可降解且相對導(dǎo)磁率大于2的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入式磁籽，其特征在于，還包括：
鍍膜層，覆蓋于所述外殼區(qū)的外表面，其中所述鍍膜層的材料為具有生物相容性的材料。
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