[發(fā)明專利]一種低失真MOSFET大功率放大電路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510850830.8
• 申請日: 2015-11-30
• 公開（公告）號: CN105305973A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 熊永波
• 申請（專利權(quán)）人: 北京機械設(shè)備研究所
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/20
• 代理公司: 中國航天科工集團公司專利中心 11024
• 代理人: 岳潔菱;張國虹

1.一種低失真MOSFET大功率放大電路，包括：電阻R2、電阻R3、電阻R4和電阻R5，其特征在于還包括:變壓器T1、變壓器T2、N型功率MOSFET管V1、N型功率MOSFET管V2、電阻R1、電阻R6~電阻R9和電容C1；

變壓器T1的原邊1和2分別與輸入信號Vin端和輸入信號地SG連接，變壓器T1的副邊3與電阻R1的一端和電阻R2的一端連接，變壓器T1的副邊5與電容C1的一端和電阻R3的一端連接，變壓器T1的副邊4與電源負極GND連接,電阻R1的另一端與電容C1的另一端連接；電阻R2的另一端與電阻R4的一端和電阻R6的一端連接，電阻R4的另一端與電源正極VCC連接,電阻R6的另一端與N型功率MOSFET管V1的柵極G連接；電阻R3的另一端與電阻R5的一端和電阻R7的一端連接，電阻R5的另一端與電源正極VCC連接，電阻R7的另一端與N型功率MOSFET管V2的柵極G連接；N型功率MOSFET管V1的漏極D與電源正極VCC連接，N型功率MOSFET管V1的柵極G與電阻R8的一端連接，N型功率MOSFET管V1的源極S與電阻R8的另一端連接；N型功率MOSFET管V2的漏極D與電源正極VCC連接，N型功率MOSFET管V2的柵極G與電阻R9的一端連接，N型功率MOSFET管V2的源極S與電阻R9的另一端連接；變壓器T2的原邊1與N型功率MOSFET管V1的源極S連接，變壓器T2的原邊2與電源負極GND連接，變壓器T2的原邊3與N型功率MOSFET管V2的源極S連接，變壓器T2的副邊4與輸出正極Vo+連接，變壓器T2的副邊5與輸出負極Vo-連接；

工作時，將輸入電源正負極分別接VCC和GND，輸入信號正負極分別接Vin和SG，輸出電源正負極分別接Vo+和Vo-；輸入信號通過變壓器T1放大為兩個極性相反的半波信號，在輸入信號的正半周期變壓器T1的副邊3輸出正的半波信號，通過電阻R2、電阻R6和電阻R8使N型功率MOSFET管V1處于放大狀態(tài)工作,此時變壓器T1的副邊5輸出與副邊3輸出信號極性相反，則通過電阻R3、電阻R7和電阻R9使N型功率MOSFET管V2處于截止狀態(tài)停止工作；在輸入信號的負半周期變壓器T1的副邊5輸出正的半波信號，通過電阻R3、電阻R7和電阻R9使N型功率MOSFET管V2處于放大狀態(tài)工作，此時變壓器T1的副邊3輸出與副邊5輸出信號極性相反，則通過電阻R2、電阻R6和電阻R8使N型功率MOSFET管V1處于截止狀態(tài)停止工作；電阻R1和電容C1起到濾波作用，消除輸入信號干擾；N型功率MOSFET管V1、N型功率MOSFET管V2和變壓器T2原邊1、2、3連接成兩個跟隨放大電路，在輸入信號的正負半周期交替工作：在輸入信號正半周期，N型功率MOSFET管V1和變壓器T2的原邊1、2組成跟隨放大電路，將輸入信號進行功率放大，通過變壓器T2副邊4、5輸出；在輸入信號負半周期，功率MOSFET管V2和變壓器T2的原邊3、2組成跟隨放大電路，將輸入信號進行功率放大，通過變壓器T2副邊4、5輸出；該跟隨電路采用負反饋調(diào)整控制方式，實現(xiàn)輸出信號跟蹤輸入信號，具有抗負載阻抗變化功能，實現(xiàn)功率輸出，同時輸出信號失真度得到了控制；電阻R4為偏置電阻，電阻R2為分壓電阻，通過電阻R4和電阻R2的偏置分壓作用使得輸入信號電壓接近零時N型功率MOSFET管V1仍處于放大狀態(tài),減少了正半周期輸出交越失真；同理電阻R5為偏置電阻，電阻R3為分壓電阻，通過電阻R5和電阻R3的偏置分壓作用使得輸入信號電壓接近零時N型功率MOSFET管V2仍處于放大狀態(tài),減少了負半周期輸出交越失真；由于N型功率MOSFET管V1和N型功率MOSFET管V2為同型號MOSFET管，放大倍數(shù)容易選擇一致，同時由于變壓器T2負反饋調(diào)節(jié)的作用，效降低正負半周期輸出波形的不對稱失真。