[發明專利]一種CdTe半導體納米晶制備方法在審
| 申請號： | 201510850551.1 | 申請日： | 2015-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN105565283A | 公開（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發明（設計）人： | 王耀斌 | 申請（專利權）人： | 陜西高新能源發展有限公司 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;C09K11/88 |
| 代理公司： | 西安億諾專利代理有限公司 61220 | 代理人： | 劉斌 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cdte 半導體 納米 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種CdTe半導體納米晶制備方法，其特征在于包括如下步驟：
（1）Na2Te前驅體的制備
向三口燒瓶中通氫氣，稱取硼氧化鈉于三口烷瓶中，加入亞碲酸鈉使加入的硼氫化鈉與亞碲酸鈉的摩爾比大于2：1，加入去離子水，磁力劇烈攪拌，控制反應溫度50℃，50min后制得Na2Te前驅體；
（2）CdCl2前驅體的制備
向三口燒瓶中通氫氣，加入去離子水，向三口燒瓶中加入CdCl2并用微型注射器注射巰基乙酸于三口燒瓶中，CdCl2與巰基乙酸的摩爾比大于10：1，磁力劇烈攪拌數分鐘后，向溶液中滴加1mol／L的NaOH溶液調節pH=9．1；反應45min后得到CdCl2前驅體；
（3）CdTe納米晶的合成
向CdCl2的前驅體中，快速注入Na2Te前驅體，繼續通氫氣，迅速調節溫度到100℃回流4h，得到CdTe納米晶。
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