[發明專利]一種半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201510848950.4 | 申請日： | 2015-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN106816370B | 公開（公告）日： | 2019-12-03 |
| 發明（設計）人： | 嚴琴 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐華律師事務所 | 代理人： | 汪洋;李儂<國際申請>=<國際公布>=< |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
步驟S1：提供半導體襯底，在所述半導體襯底的表面上形成有第一多晶硅層；
步驟S2：在所述第一多晶硅層上沉積形成金屬硅化物，其中，采用化學氣相沉積法沉積所述金屬硅化物，且使其沉積溫度大于440℃；
步驟S3：在所述金屬硅化物上沉積形成摻雜的第二多晶硅層，所述摻雜的第二多晶硅層包括自下而上的未摻雜的多晶硅和摻雜的多晶硅，通過延長所述未摻雜的多晶硅的沉積時間來降低所述第二多晶硅層的應力。
2.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
步驟S1：提供半導體襯底，在所述半導體襯底的表面上形成有第一多晶硅層；
步驟S2：在所述第一多晶硅層上沉積形成金屬硅化物，其中，采用化學氣相沉積法沉積所述金屬硅化物，且使其沉積溫度在400℃以上；
步驟S3：在所述金屬硅化物上沉積形成摻雜的第二多晶硅層，其中，采用化學氣相沉積法沉積形成摻雜的所述第二多晶硅層，沉積所述第二多晶硅層包括：首先沉積4～6分鐘的未摻雜的多晶硅，再沉積4～6分鐘的摻雜的多晶硅，通過延長所述未摻雜的多晶硅的沉積時間來降低所述第二多晶硅層的應力。
3.如權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述金屬硅化物包括硅化鎢。
4.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，沉積所述第二多晶硅層包括：首先沉積5分鐘的未摻雜的多晶硅，再沉積5分鐘的摻雜的多晶硅。
5.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述金屬硅化物的沉積溫度為400℃-440℃。
6.如權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述半導體襯底的表面上所述第一多晶硅層的下方形成有柵極介電層。
7.如權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S3之后，還包括在所述第二多晶硅層上沉積形成隔離材料層，以及在所述隔離材料層上沉積形成控制柵極材料層的步驟。
8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述隔離材料層為氧化物-氮化物-氧化物的結構絕緣隔離層，所述控制柵極材料層為未摻雜的多晶硅。
9.如權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅層為摻雜的多晶硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
