[發(fā)明專(zhuān)利]具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件及其制法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510847489.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106816428B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊弘毅;凌溢駿;曾國(guó)書(shū) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 陽(yáng)升應(yīng)用材料股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/525 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京明和龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11281 | 代理人: | 郁玉成 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 切線(xiàn) 晶片 保險(xiǎn)絲 元件 及其 制法 | ||
1.一種具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件,供表面安裝至電路板,該晶片保險(xiǎn)絲元件包括:
一基板本體,具有一個(gè)上表面、一個(gè)相反于該上表面的下表面、及連接該上表面與該下表面的兩端緣,其中該基板本體在該上表面和該下表面中至少一者形成有對(duì)應(yīng)前述兩端緣的預(yù)切線(xiàn);
一對(duì)彼此分離的導(dǎo)接電極,該對(duì)導(dǎo)接電極分別包括位于上述上表面的焊墊部、及由前述焊墊部延伸至上述下表面的焊腳部;
一層位于該上表面、供封閉環(huán)繞上述焊墊部的環(huán)繞阻擋層,供與該基板本體共同形成一個(gè)容置空間,且該環(huán)繞阻擋層并未遮蔽前述預(yù)切線(xiàn)而使前述預(yù)切線(xiàn)曝露;
一個(gè)位于上述容置空間、且兩端分別被焊接至上述焊墊部的保險(xiǎn)絲本體;及
一層封閉阻絕該容置空間的封閉保護(hù)層;
其中該保險(xiǎn)絲本體更包括連接上述兩端、且彈性彎折而遠(yuǎn)離上述基板本體上表面的弧形部,使得當(dāng)前述弧形部熔斷時(shí),殘留在上述兩端處的弧形部殘余部分會(huì)彼此彈性分離。
2.如權(quán)利要求1所述的具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件,其中該封閉保護(hù)層包括填充于該容置空間、且電負(fù)度高于上述保險(xiǎn)絲本體的滅弧部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件,其中該封閉保護(hù)層包括一覆蓋于上述環(huán)繞阻擋層上的頂蓋部。
4.一種具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件的制造方法,包括下列步驟:
a)提供一片具有一個(gè)上表面和一個(gè)下表面的基材,該基材的前述上表面或下表面的至少其中一者,形成有復(fù)數(shù)預(yù)切線(xiàn),用以區(qū)隔出復(fù)數(shù)個(gè)基板本體;且每一前述基板本體的上表面?zhèn)确謩e具有一個(gè)環(huán)繞阻擋層,每一前述環(huán)繞阻擋層分別與對(duì)應(yīng)的前述基板本體共同形成一個(gè)容置空間,且前述環(huán)繞阻擋層均未遮蔽前述預(yù)切線(xiàn)而使前述預(yù)切線(xiàn)曝露;以及分別在每一上述基板本體形成一對(duì)彼此分離的導(dǎo)接電極,每一對(duì)前述導(dǎo)接電極分別包括至少兩個(gè)位于上述上表面的焊墊部、及由前述焊墊部延伸至上述下表面的焊腳部;
b)逐一在每一個(gè)上述容置空間中、將一保險(xiǎn)絲本體的兩端分別焊接至上述焊墊部;更包括次步驟b1)逐一將連接每一前述保險(xiǎn)絲本體的上述兩端的弧形部分別彈性彎折,遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的每一上述基板本體;及
c)逐一設(shè)置封閉阻絕每一前述容置空間的封閉保護(hù)層,封閉保護(hù)每一前述保險(xiǎn)絲本體。
5.如權(quán)利要求4所述的具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件的制造方法,其中該步驟c)更包括一個(gè)將每一前述封閉保護(hù)層的滅弧部填充于對(duì)應(yīng)的每一前述容置空間,遮蔽電負(fù)度低的每一前述保險(xiǎn)絲本體的次步驟c1)。
6.如權(quán)利要求4所述的具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件的制造方法,其中該步驟c)更包括一個(gè)將每一前述封閉保護(hù)層的頂蓋部覆蓋于對(duì)應(yīng)的每一上述環(huán)繞阻擋層上的次步驟c2)。
7.如權(quán)利要求4、5或6所述的具有預(yù)切線(xiàn)基板的晶片保險(xiǎn)絲元件的制造方法,更包括在步驟c)后的步驟d)沿著每一前述預(yù)切線(xiàn)切割該基材,形成復(fù)數(shù)個(gè)晶片保險(xiǎn)絲元件。
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