[發明專利]基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝置在審
| 申請號: | 201510847016.0 | 申請日: | 2015-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN105470077A | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
| 發明(設計)人: | 胡慧君;宋娟;史鈺峰;金東東;邵飛 | 申請(專利權)人: | 山東航天電子技術研究所 |
| 主分類號: | H01J35/06 | 分類號: | H01J35/06;H01J35/08;H01J35/14;H01J35/24 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人: | 李微微;仇蕾安 |
| 地址: | 264670 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 cnt 發射 光束 平行 射線 產生 裝置 | ||
1.一種基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝置,其特征在于,包括電源 (8)、陰極基板(1)、碳納米管陰極面陣(3)、陽極靶陣列(4)、濾光器(5)、準直器陣列(6)以及 終端接收屏(7);
所述陰極基板(1)的一個側面上鍍有陰極導電層(2);
所述陰極導電層(2)接所述電源(8)的正端;
所述陰極導電層(2)上生長N×N個碳納米管陣列單元,形成所述碳納米管陰極面陣 (3);N的取值與要產生的X射線的面積成正比;
所述陽極靶陣列(4)位于所述碳納米管陰極面陣(3)出射電子的前方,所述電源(8)產 生的負壓加載在每一個陽極靶陣列(4)的陽極靶單元上,所述陽極靶單元與碳納米管陣列 單元一一對應,用于接收所述碳納米管陣列單元發射的電子,并產生X射線;
所述濾光器(5)位于所述X射線傳播光路中,用于濾除能量不符合要求的X射線;
所述準直器陣列(6)由N×N個毛細管X射線透鏡以面陣的方式形成,毛細管X射線透鏡 的位置與陽極靶單元位置一一對應;每個毛細管X射線透鏡均由多根X射線光纖緊密排列構 成,用于對從濾光器(5)出射的X射線進行準直并透射到所述終端接收屏(7)上;
所述電源(8)的電壓由要產生的X射線能量決定。
2.如權利要求1所述的一種基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝置,其 特征在于,需要的X射線能量、陽極靶單元的陽極靶材料、濾光器(5)厚度、濾光器(5)材料以 及電源(8)的電壓如下:
3.如權利要求1所述的一種基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝置,其 特征在于,每個所述毛細管X射線透鏡中包含30×104~50×104根X射線光纖。
4.如權利要求1、2或3所述的一種基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝 置,其特征在于,X射線光纖內徑為20微米。
5.如權利要求1所述的一種基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝置,其 特征在于,所述N取5。
6.如權利要求1所述的一種基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝置,其 特征在于,所述陽極靶陣列(4)單元由采用導電材質制成的陽極基板(10)進行支撐;所述陽 極基板(10)上加工與所述陽極靶陣列(4)中N×N個陽極靶單元一一對應的開孔,陽極靶單 元固定安裝在所述開孔內;所述電源(8)的電壓通過所述陽極基板(10)加載在各個陽極靶 單元上。
7.如權利要求6所述的一種基于CNT場致發射的寬光束準平行單能X射線產生裝置,其 特征在于,還包括空腔結構的絕緣支架(9),安裝在陰極基板(1)與陽極基板(10)之間,將碳 納米管陰極面陣(3)以及產生的電子流封裝在其內部。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東航天電子技術研究所,未經山東航天電子技術研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510847016.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種電子束90度偏轉器
- 下一篇:一種雙層防水線圈結構





