[發(fā)明專利]前置放大器及信號(hào)采集裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510845322.0
• 申請(qǐng)日: 2015-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105322898B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張浩;李燁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H03F1/38
• 分類號(hào): H03F1/38;H03F3/45
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳英

1.一種前置放大器，用于對(duì)采集的微弱信號(hào)進(jìn)行放大，其特征在于，包括：

放大模塊，所述放大模塊包括輸入電路和全差分輸出電路，且所述輸入電路和所述全差分輸出電路為純MOS管電路；

所述輸入電路的輸出端和所述全差分輸出電路的輸入端連接，且所述全差分輸出電路具有兩個(gè)差模輸出端；所述放大模塊用于將輸入信號(hào)放大以獲得輸出信號(hào)；及

共模反饋模塊，所述共模反饋模塊包括共模反饋回路和源極退化結(jié)構(gòu)的共模反饋回路；所述共模反饋模塊與所述放大模塊相連，用于抑制所述輸出信號(hào)的共模增益。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前置放大器，其特征在于，所述前置放大器還包括：高通濾波模塊，所述高通濾波模塊的輸出端與所述輸入電路的輸入端相連，用于濾除所述微弱信號(hào)中的直流失調(diào)電壓以獲取所述輸入信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前置放大器，其特征在于，所述前置放大器還包括：第一斬波模塊，所述第一斬波模塊的輸入端輸入所述微弱信號(hào)，輸出端與所述高通濾波模塊相連，用于將所述微弱信號(hào)中的噪聲信號(hào)調(diào)制成高頻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前置放大器，其特征在于，所述前置放大器還包括：第二斬波模塊，所述第二斬波模塊與所述差模輸出端相連，用于將所述輸出信號(hào)解調(diào)至基帶頻率。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的前置放大器，其特征在于，所述前置放大器還包括：正反饋模塊，所述正反饋模塊的一端與第一斬波模塊的輸出端相連，另一端與所述兩個(gè)差模輸出端相連，用于增加所述前置放大器的輸入阻抗。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前置放大器，其特征在于，所述輸入電路包括基于反相器結(jié)構(gòu)的輸入電路；

所述基于反相器結(jié)構(gòu)的輸入電路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源極連接到電源電壓，所述第一PMOS管的漏極連接到第一NMOS管的漏極，所述第二PMOS管的漏極連接到第二NMOS管的漏極；

所述輸入電路的第一輸入端連接到所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的柵極，所述輸入電路的第二輸入端連接到所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的柵極，形成所述基于反相器結(jié)構(gòu)的輸入電路；

所述第一PMOS管的漏極和所述第二PMOS管的漏極形成所述兩個(gè)差模輸出端；

所述第一NMOS管的源極連接到第三NMOS管的漏極，所述第二NMOS管的源極連接到第四NMOS管的漏極；

所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的共漏極，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的共漏極，以及所述第三NMOS管和所述第四NMOS管共柵極形成所述輸入電路的輸出端；

所述第三NMOS管的源極、所述第四NMOS管的源極接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前置放大器，其特征在于，所述輸入電路還包括PMOS輸入電路，所述PMOS輸入電路包括：

第六PMOS管和第七PMOS管的源極連接到電源電壓Vdd，所述第六PMOS管的漏極連接到第七NMOS管的漏極，所述第七PMOS管的漏極連接到第八NMOS管的漏極；

所述輸入電路的第一輸入端連接到所述第六PMOS管和所述第七NMOS管的柵極，所述輸入電路的第二輸入端連接到所述第七PMOS管和所述第八NMOS管的柵極，形成所述PMOS輸入電路；

所述第六PMOS管的漏極和所述第七PMOS管的漏極形成所述兩個(gè)差模輸出端；

所述第六PMOS管的漏極、所述第七PMOS管的漏極和所述第七NMOS管與所述第八NMOS管的共柵極形成所述輸入電路的輸出端；

所述第七NMOS管與所述第八NMOS管的源極接地。