[發(fā)明專利]雙溝道FinFET器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510844310.6
• 申請日: 2015-11-26
• 公開（公告）號: CN106803517B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發(fā)明（設計）人: 肖德元;張汝京
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 31237 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 金華

1.一種雙溝道FinFET器件，其特征在于，包括：基片、第一溝道、源漏區(qū)、第一鈍化層、第二溝道、第二鈍化層及柵極結構，其中，所述第一溝道及源漏區(qū)均形成在所述基片內，所述源漏區(qū)分別位于所述第一溝道的兩端，所述第一鈍化層、第二溝道、第二鈍化層及柵極結構依次形成在所述第一溝道及源漏區(qū)上，所述第一鈍化層和第二鈍化層為氟化石墨烯，第二溝道為石墨烯。

2.如權利要求1所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述柵極結構包括柵介質層、柵極及側墻，所述柵介質層形成在所述第二鈍化層上，所述柵極形成在所述柵介質層上，所述側墻形成在所述柵介質層及柵極的兩側。

3.如權利要求2所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述柵介質層為二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯或氧化鉿，其厚度范圍是1nm～3nm。

4.如權利要求2所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述柵極材質為NiAu或CrAu，其厚度范圍是100nm～300nm。

5.如權利要求2所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，還包括源漏電極，所述源漏電極形成在所述側墻的兩側，位于所述源漏區(qū)之上。

6.如權利要求1所述的雙溝道FinFET器件，其特征在于，所述基片為絕緣體上硅或者絕緣體上鍺。

7.一種雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供基片，所述基片上形成有鰭形結構，作為第一溝道；

在所述鰭形結構上依次形成第一鈍化層、第二溝道、第二鈍化層、柵介質層及柵極，所述第一鈍化層和第二鈍化層均為氟化石墨烯，第二溝道為石墨烯；

在所述基片內形成源漏區(qū)，所述源漏區(qū)位于所述柵極兩側的基片內；

在所述柵極及柵介質層兩側形成側墻。

8.如權利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層的形成步驟包括：

在所述鰭形結構表面形成石墨烯；

對所述石墨烯進行氟化處理，形成氟化石墨烯作為第一鈍化層。

9.如權利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述第二溝道及第二鈍化層的形成步驟包括：

在所述第一鈍化層表面形成石墨烯；

對所述石墨烯進行表面部分氟化處理，形成氟化石墨烯作為第二鈍化層，所述石墨烯作為第二溝道。

10.如權利要求8或9所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述氟化處理采用CF₄或C₄F₈對石墨烯進行等離子體處理。

11.如權利要求8或9所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，采用CVD、PVD、ALD、MBE或者MEE工藝形成石墨烯。

12.如權利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述基片的形成步驟包括：

提供絕緣體上硅或者絕緣體上鍺，并進行N型或者P型離子注入形成阱區(qū)；

對所述絕緣體上硅或者絕緣體上鍺進行干法刻蝕，形成鰭形結構。

13.如權利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述柵介質層采用CVD或者ALD工藝形成。

14.如權利要求7所述的雙溝道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述柵極采用PVD、MOCVD或者ALD工藝形成。