[發(fā)明專利]一種晶片托盤及MOCVD系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510836832.1 | 申請日: | 2015-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN106801222B | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金小亮;陳愛華;呂青;王國斌 | 申請(專利權(quán))人: | 中晟光電設(shè)備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
| 地址: | 200120 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 托盤本體 托盤 加熱元件 凹坑 種晶 旋轉(zhuǎn)連接件 晶片托盤 支撐軸 凸臺 中心支撐結(jié)構(gòu) 溫度均勻性 機械手 區(qū)域保持 托盤周邊 上端面 下表面 環(huán)繞 鄰近 配合 | ||
1.一種晶片托盤,用于MOCVD系統(tǒng)中,所述MOCVD系統(tǒng)包括支撐軸和加熱元件,其特征在于,所述晶片托盤包括托盤本體、設(shè)置于托盤本體下表面中心的凸臺和連接于所述凸臺下表面的旋轉(zhuǎn)連接件;作為所述托盤本體和所述旋轉(zhuǎn)連接件之間的連接機構(gòu),所述凸臺與所述托盤本體和/或所述旋轉(zhuǎn)連接件為一體加工而成,或者所述凸臺與所述托盤本體和所述旋轉(zhuǎn)連接件為3個互相獨立的結(jié)構(gòu)裝配而成;所述托盤本體置于所述加熱元件上方,且所述凸臺被其鄰近加熱元件所環(huán)繞;
至少有一層加熱元件的下表面高于該凸臺的下表面;在外延反應(yīng)時,所述凸臺的側(cè)面接收鄰近所述凸臺的加熱元件散發(fā)的熱量;
所述凸臺的厚度大于或等于一層加熱元件的厚度;
所述凸臺的下表面面積大于所述旋轉(zhuǎn)連接件的上表面面積;
所述凸臺的下表面和托盤本體的下表面平行;
所述旋轉(zhuǎn)連接件為錐形結(jié)構(gòu),所述支撐軸的上端面設(shè)置有凹坑,所述旋轉(zhuǎn)連接件插入所述凹坑并與所述凹坑相配合,所述旋轉(zhuǎn)連接件與所述支撐軸配合;所述托盤本體置于所述加熱元件上方,用于承載被加熱晶片;
所述托盤本體上表面中心設(shè)置有用于放置外延片的凹盤,或者所述托盤本體上表面中心位于用于放置外延片的凹盤內(nèi)。
2.一種MOCVD系統(tǒng),包括晶片托盤、支撐軸和加熱元件,其特征在于,所述晶片托盤包括托盤本體、設(shè)置于托盤本體下表面中心的凸臺和連接于所述凸臺下表面的旋轉(zhuǎn)連接件;作為所述托盤本體和所述旋轉(zhuǎn)連接件之間的連接機構(gòu),所述凸臺與所述托盤本體和/或所述旋轉(zhuǎn)連接件為一體加工而成,或者所述凸臺與所述托盤本體和所述旋轉(zhuǎn)連接件為3個互相獨立的結(jié)構(gòu)裝配而成;所述托盤本體置于所述加熱元件上方,且所述凸臺被其鄰近加熱元件所環(huán)繞;
至少有一層加熱元件的下表面高于該凸臺的下表面,在外延反應(yīng)時,所述凸臺的側(cè)面接收鄰近所述凸臺的加熱元件散發(fā)的熱量;
所述凸臺的厚度大于或等于一層加熱元件的厚度;
所述凸臺的下表面面積大于所述旋轉(zhuǎn)連接件的上表面面積;
所述凸臺的下表面和托盤本體的下表面平行;
所述旋轉(zhuǎn)連接件為錐形結(jié)構(gòu),所述支撐軸的上端面設(shè)置有凹坑,所述旋轉(zhuǎn)連接件插入所述凹坑并與所述凹坑相配合;所述托盤本體置于所述加熱元件上方,用于承載被加熱晶片;
所述托盤本體上表面中心設(shè)置有用于放置外延片的凹盤,或者所述托盤本體上表面中心位于用于放置外延片的凹盤內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的MOCVD系統(tǒng),其特征在于,所述鄰近所述凸臺的加熱元件用于對所述托盤本體進(jìn)行加熱。
4.如權(quán)利要求2所述的MOCVD系統(tǒng),其特征在于,所述凸臺和支撐軸被兩層以上加熱元件所環(huán)繞。
5.如權(quán)利要求2所述的MOCVD系統(tǒng),其特征在于,所述支撐軸的材料為金屬,支撐軸側(cè)面設(shè)有溝槽和/或支撐軸內(nèi)部設(shè)有空槽。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





