[發明專利]一種抗噪聲SOI晶體管光電流測試系統設計

在審

• 申請號: 201510836301.2
• 申請日: 2015-11-26
• 公開（公告）號: CN105388353A
• 公開（公告）日: 2016-03-09
• 發明（設計）人: 解磊;代剛;李順;梁堃;孫鵬;劉鑫
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種抗噪聲SOI晶體管光電流測試系統設計，其特征在于：包括SOI晶體管結構測試單元和至少兩個噪聲測試電阻，噪聲測試電阻與SOI晶體管結構測試單元串聯，SOI晶體管結構測試單元的兩端至少有一個噪聲測試電阻；

該測試系統設計的測試過程為：在輻射條件下，光電流流過SOI晶體管結構測試單元的晶體管漏極端口，通過與SOI晶體管結構測試單元串聯的噪聲測試電阻測試得到兩端電勢差，然后將電勢差除以噪聲測試電阻的電阻值，得到在環境噪聲干擾下總的光電流，然后在數據處理過程中去掉噪聲測試電阻導線上測得的環境噪聲，則得到SOI晶體管結構測試單元中產生的總的光電流，通過除以SOI晶體管結構測試單元中的晶體管個數得到單個晶體管的光電流。

2.根據權利要求1所述的一種抗噪聲SOI晶體管光電流測試系統設計，其特征在于：所述SOI晶體管結構測試單元是單個SOI晶體管測試模塊，或者是若干個并聯的SOI晶體管模塊形成的測試單元，每個SOI晶體管測試模塊的端口包括晶體管柵極連接、晶體管漏極連接、晶體管源極連接和晶體管體連接。

3.根據權利要求2所述的一種抗噪聲SOI晶體管光電流測試系統設計，其特征在于：所述每個SOI晶體管測試模塊的柵極G、漏極D、源極S和B極均通過帶有ESD保護的IOPAD連接到外部，不同模塊的IOPAD所需的電源VDD和地GND的電壓源相互獨立。

4.根據權利要求1所述的一種抗噪聲SOI晶體管光電流測試系統設計，其特征在于：所述SOI晶體管結構測試單元中晶體管的個數范圍為100—100000個。

5.根據權利要求1所述的一種抗噪聲SOI晶體管光電流測試系統設計，其特征在于：不同的SOI晶體管測試模塊包含有不同結構的SOI晶體管結構，所述SOI晶體管結構測試單元的類型包括浮體條形柵、體接觸T型柵及體接觸H型柵的晶體管結構。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的一種抗噪聲SOI晶體管光電流測試系統設計，其特征在于：對于N型SOI晶體管采用漏端電阻電壓采樣的方式測試實驗數據；對于P型SOI晶體管采用源端電阻電壓采用的方式測試實驗數據。