[發明專利]波束天線

有效

• 申請號: 201510833000.4
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN105680166B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 李偉宇;高端環;黃萌祺;鐘蒍;周敏杰
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種波束天線，其特征在于，包含：

第一介質層，其具有信號源以及第一導體層，所述第一導體層附著于所述第一介質層的表面上，并且所述信號源電氣耦接或電氣連接于所述第一導體層；

第二介質層，其具有至少一第一薄膜層，所述第一薄膜層附著于所述第二介質層的表面上，并且所述第一薄膜層包含：

絕緣膠體，其為高分子材料；以及

多個觸發粒子，其包含有機金屬粒子、金屬螯合物，與帶隙大于等于3電子伏特的半導體材料至少其中之一，所述多個觸發粒子可受激光能量照射活化，其中所述激光能量的波長介于430至1080毫微米之間；

至少一第一輻射導體單元，其附著于所述第一薄膜層的表面上，所述第一薄膜層位于所述第一輻射導體單元以及所述第二介質層之間；以及

能量傳輸導體結構，其位于所述第一介質層以及所述第二介質層之間，并具有第一端點以及第二端點，所述第一端點電氣耦接或電氣連接于所述信號源，所述第二端點電氣耦接或電氣連接于所述第一輻射導體單元，并激發所述波束天線產生至少一共振模態來涵蓋至少一通訊系統頻段操作。

2.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第一薄膜層包含的所述多個觸發粒子為帶隙大于等于3電子伏特的半導體材料，并且其選自由氮化鎵、二氧化鈦、氮化鋁、二氧化硅、硫化鋅、氧化鋅、碳化硅、氮化鋁鎵、氧化鋁、氮化硼或氮化硅其中之一或其所組成的群組。

3.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第一薄膜層包含的所述多個觸發粒子為有機金屬粒子，所述有機金屬粒子結構為R-M-X或R-M-R，其中M為金屬，R為環烷、烷基、雜環或羧酸、鹵烷、芳香烴，X為鹵素化合物或胺類，并且M選自由金、鎳、錫、銅、鈀、銀或鋁其中之一或其所組成的群組。

4.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第一薄膜層包含的所述多個觸發粒子為金屬螯合物，并且其為由螯合劑螯合金屬組成，所述螯合劑為吡咯烷二硫代氨基甲酸銨、乙二胺四乙酸、NTA或二乙烯三胺五乙酸至少其中之一，并且所述金屬選自由金、銀、銅、錫、鋁、鎳或鈀其中之一或其所組成的群組。

5.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述能量傳輸導體結構為波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、頂針饋入結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構。

6.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第一薄膜層包含的所述絕緣膠體的黏滯系數小于9000厘泊，并且所述第一薄膜層包含的所述多個觸發粒子占所述絕緣膠體0.1～28重量百分比。

7.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第一介質層與所述第二介質層之間的距離小于所述波束天線產生共振模態最低操作頻率的0.39倍波長。

8.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第二介質層的厚度介于所述波束天線產生共振模態最低操作頻率的0.001～0.15倍波長之間。

9.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第一薄膜層的厚度介于10～290微米之間。

10.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述信號源通過波導結構、同軸傳輸線結構、微帶傳輸線結構、共面波導結構、雙線傳輸線結構、頂針饋入結構、導體彈片結構或匹配電路其中之一或其所組合的結構，電氣耦接或電氣連接于所述能量傳輸導體結構的所述第一端點。

11.如權利要求1所述的波束天線，其特征在于，所述第一輻射導體單元具有平板結構、短路結構、蜿蜒結構、槽孔結構、槽縫結構或間隙結構其中之一或其所組合的結構。