[發明專利]一種瓦氏馬尾藻工廠化育苗方法在審
| 申請號: | 201510829691.0 | 申請日: | 2015-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN105393909A | 公開(公告)日: | 2016-03-16 |
| 發明(設計)人: | 韓軍軍;白凱強;丁平真;徐文婷;趙明林;何培民;黃艷;郭媛媛;陶燕東;王淑賢;楊建 | 申請(專利權)人: | 上海海洋大學 |
| 主分類號: | A01G33/00 | 分類號: | A01G33/00 |
| 代理公司: | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 31227 | 代理人: | 曹莉 |
| 地址: | 201306 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 馬尾藻 工廠 育苗 方法 | ||
技術領域
本發明屬于生物技術領域,特別涉及一種瓦氏馬尾藻工廠化育苗方法。
背景技術
大型底棲海藻在海洋生態系統中具有重要的生態和經濟功能。瓦氏馬尾藻作為一種大型的底棲海藻在海洋生態系統中扮演者不可或缺的角色。瓦氏馬尾藻(Sargassumvachellianum)屬于褐藻門(Phaeophyta),墨角藻目(Fucales),馬尾藻科(Sargassaceae),馬尾藻屬(SargassumC.Agardh)。瓦氏馬尾藻藻體呈黃褐色,外形樹狀,具氣囊,為多年生海藻。隨著今年來我國經濟的發展,中國從一個農業大國向工業大國轉變,大量工業廢水等不經處理就排放到海水中,造成海水富營養化,另外再加上人工造陸等原因導致海洋生態系統退化。根據柴召陽等調查表明,浙江舟山海域的瓦氏馬尾藻生態系統屬中度退化、Ⅲ類退化級別。為了避免瓦氏馬尾藻藻場進一步退化,尋求一種工廠化大量育苗的的方法至關重要。而現在的瓦氏馬尾藻培育多是實驗室實驗條件下少量培育用于實驗研究,還沒有辦法達到工廠化大量培育的效果。
針對現有技術的弱點,本發明提供一種瓦氏馬尾藻工廠化育苗方法,本發明操作簡單,不用制備培養液,能大量培育瓦氏馬尾藻,今后大規模瓦氏馬尾藻藻場建立和海藻生態修復與生境保護奠定了基礎。
發明內容
本發明的目的,在于克服上述方法的缺點和不足,對瓦氏馬尾藻工廠化育苗方法,本發明操作簡單,不用制備培養液,能大量培育瓦氏馬尾藻,今后大規模瓦氏馬尾藻藻場建立和海藻生態修復與生境保護奠定了基礎。
本發明的目的可以通過以下技術方案來實現:
一種瓦氏馬尾藻工廠化育苗方法,其步驟包括:
(1)采集海里的藻苗。
(2)篩選出藻苗里雌雄生殖托明顯區別的藻苗處理至無雜質后,放入暫養池里無雜藻的海水中。
(3)在光照強度為80-150μmol·m-2·s-1,水溫18-26℃的條件下,培育藻苗至成熟藻體。
(4)將成熟藻體按照雌雄比例為3:1放入孢子收集箱,收集孢子。雄性生殖托排放大部分精子后會出現衰敗現象,進而影響其他雄性和雌性藻株孢子的排放,導致藻株提前衰敗。經過研究對比,雌雄3:1的比例最有利于孢子的排放,當發現有雄性藻株出現衰敗時可取出,并補入健康的雄性藻株。
(5)將孢子與水按3-8g:2L配置成孢子水,并將2L孢子水潑灑至育苗池的無雜藻的13m2海水中,48小時后,對育苗池充氣。這樣能確保水中的受精卵可以很好的附著在附著基上,提前充氣會導致受精卵附著不上或者附著狀態差。
(6)充氣培養7天,每1-2天更換1/4-1/3的海水,培養溫度為18-29℃,光照強度為40-120μmol·m-2·s-1。初期由于藻體幼苗弱小,換水過多會導致苗體生長受到影響,且大幅度換水由于水流、水壓等會導致苗體從附著基脫落。
(7)繼續充氣培養7天,每1-2天更換不到1/2-2/3的海水,培養溫度為18-26℃,光照強度為30-100μmol·m-2·s-1,至孢子培育至幼苗。
優選的,步驟(2)中藻苗處理是用過濾過的海水處理的,海水處理掉表面的雜質、螺等。
優選的,步驟(2)中的無雜藻的海水是海水用密閉不透光的方法處理而成的。這種處理海水的方法,簡單,易操作,在工廠也能輕易實現。
優選的,步驟(3)中的光照強度為120μmol·m-2·s-1,水溫18-22℃。
優選的,步驟(4)中收集孢子的時間為下午2點。瓦氏馬尾藻通常在中午會大量的放散孢子,此時收集效果最優。
優選的,步驟(5)中的育苗池中有沒入海水的苗床、藻礁、苗繩等附著基。有苗床后,孢子更易附著,分散更均勻,利于培養,培養至成品后,可以直接將苗床等放置海底,更容易修復藻場。
優選的,步驟(5)中的育苗池的光強是通過白織燈、天窗、遮光板等來調節的,溫度通過通風窗和換水等進行調節,操作簡單,能工廠化。
優選的,步驟(5)中的孢子與水按5g:2L配置成孢子水。
優選的,步驟(6)中的光照強度為100μmol·m-2·s-1,水溫18-22℃。
優選的,步驟(7)中的光照強度為60μmol·m-2·s-1,水溫18-22℃。
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