[發(fā)明專利]裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510829167.3
• 申請(qǐng)日: 2015-11-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105355556A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島金智高新技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/335
• 分類號(hào): H01L21/335;H01L21/336;H01L21/84
• 代理公司: 青島申達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37243
• 代理人: 蔣遙明

1.一種裝置結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：選擇在上表面上具有碳基納米結(jié)構(gòu)層的絕緣基板；在所述碳基納米結(jié)構(gòu)層上形成第一金屬的第一層；在所述第一金屬的第一層上形成具有第一圖案的第一圖案化層；轉(zhuǎn)移所述第一圖案到所述第一金屬的第一層和所述碳基納米結(jié)構(gòu)層以形成第一金屬的第一圖案化層和在其下方的第一圖案化碳基納米結(jié)構(gòu)層；去除所述

第一圖案化層；

在所述絕緣基板和所述第一金屬的第一圖案化層之上形成第二金屬的第二圖案化層；所述第二金屬的第二圖案化層具有包括彼此分隔的多個(gè)接觸的第二圖案，其中各個(gè)接觸具有在所述第一金屬的第一圖案化層上的部分和在所述絕緣基板上的部分；以及

去除沒(méi)有被所述多個(gè)接觸覆蓋的所述第一金屬的第一圖案化層，由此所述第一圖案化碳基納米結(jié)構(gòu)層具有未被所述第一金屬的第一圖案化層覆蓋的區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述碳基納米結(jié)構(gòu)層選自由碳納米管和石墨烯構(gòu)成的組。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二金屬的第二圖案化層包括在所述絕緣基板和所述第一金屬的第一圖案化層之上形成圖案化光致抗蝕劑剝離模板；

在所述光致抗蝕劑剝離模板之上、在所述絕緣基板之上以及在所述第一金屬的第一圖案化層之上形成第二金屬的層；以及

去除所述剝離模板和所述剝離模板上面的所述第二金屬。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一金屬包括選自由Ni、Pd和Cu構(gòu)成的組。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中非晶硅和多晶硅之一形成為取代所述第一金屬。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在形成第一圖案化層之前，在所述第一金屬的第一層上形成具有第三圖案的第三圖案化層；

轉(zhuǎn)移所述第三圖案穿過(guò)所述第一金屬的第一層、所述碳基納米結(jié)構(gòu)層且進(jìn)入所述絕緣基板中；以及

去除所述第三圖案化層。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在圖案化碳基納米結(jié)構(gòu)層的所述區(qū)域、所述絕緣基板和所述多個(gè)接觸之上形成電介質(zhì)層；

在所述電介質(zhì)層上形成金屬電極，其中所述金屬電極在所述電介質(zhì)層上延伸，與多個(gè)接觸隔開(kāi)并且在圖案化碳基納米結(jié)構(gòu)層的位于接觸之間的部分的所述區(qū)域之上延伸；以及

去除所述多個(gè)接觸的至少一些部分之上的所述電介質(zhì)層。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述多個(gè)接觸和所述多個(gè)接觸的側(cè)壁之上形成電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層對(duì)所述碳基納米結(jié)構(gòu)層有選擇性。