[發(fā)明專利]帶突起電極的板狀構件、電子部件及兩者的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510829062.8 | 申請日: | 2015-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN105655250B | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 岡田博和;浦上浩;松尾真 | 申請(專利權)人: | 東和株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/326 | 分類號: | H01L21/326;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人: | 楊勇;鄭建暉 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 突起 電極 構件 電子 部件 兩者 制造 方法 | ||
1.一種帶突起電極的板狀構件的制造方法,其制造將芯片樹脂密封的電子部件用的構件,其特征在于,
所述構件是在板狀構件的單面固定有突起電極的帶突起電極的板狀構件;
所述制造方法包括通過使用成形模、進行電鑄,將所述板狀構件與所述突起電極同時成形的成形工序,
所述成形模是通過使用原盤模成形所制造的成形模,
所述成形模被分割成多個,
在將所述分割成多個的成形模組裝完成后的狀態(tài)下,實施所述成形工序,
在所述成形工序之后,將所述分割成多個的成形模熔融。
2.根據(jù)權利要求1所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述突起電極的至少一個是中央部分彎曲的“之”字形突起電極;
所述“之”字形突起電極從與所述板狀構件的面方向相平行的方向看,通過彎曲成“之”字形,從而在與所述板狀構件的面方向相垂直的方向上可以收縮。
3.根據(jù)權利要求1所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述突起電極的至少一個是帶貫通孔的突起電極;
所述帶貫通孔的突起電極上的所述貫通孔為在與所述板狀構件的面方向相平行的方向上貫通的貫通孔。
4.根據(jù)權利要求1-3中任一項所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述突起電極為包括可變形的變形部的突起電極。
5.根據(jù)權利要求1-3中任一項所述的制造方法,其特征在于,
將所述成形模與所述板狀構件的面方向平行地分割成多個。
6.根據(jù)權利要求1所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述成形工序為通過壓縮成形將所述板狀構件與所述突起電極同時成形的工序。
7.根據(jù)權利要求1所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述成形工序是通過傳遞模塑將所述板狀構件與所述突起電極同時成形的工序。
8.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述成形工序為通過金屬將所述板狀構件與所述突起電極同時成形的工序。
9.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述成形工序為通過導電性樹脂將所述板狀構件與所述突起電極同時成形的工序。
10.根據(jù)權利要求9所述的制造方法,其特征在于,
所述導電性樹脂是樹脂及導電性粒子的混合物。
11.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述成形工序為通過樹脂將所述板狀構件與所述突起電極同時成形的工序;
所述制造方法進一步包括,在所述突起電極表面及所述板狀構件的所述突起電極側的一面附加導電性膜的導電性膜附加工序。
12.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述成形模具有:與所述板狀構件的所述突起電極固定面相對應的模面、和形成在所述模面并與所述突起電極的形狀相對應的孔;
在所述成形工序中,通過使所述帶突起電極的板狀構件的形成材料與所述模面及所述孔的內表面抵接,將所述板狀構件與所述突起電極同時成形。
13.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的帶突起電極的板狀構件的制造方法,其特征在于,
所述成形模具有:與所述板狀構件的所述突起電極固定面相對應的模面、和形成在所述模面并與所述突起電極的形狀相對應的突起;
在所述成形工序中,通過使所述帶突起電極的板狀構件的形成材料與所述模面及所述突起的表面抵接,將所述板狀構件與所述突起電極同時成形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





