[發明專利]番紅1號西紅花的脫毒試管球莖的培養法

在審

• 申請號: 201510828207.2
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN105359973A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發明（設計）人: 毛碧增;吳李芳;董峰麗
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

1.番紅1號西紅花的脫毒試管球莖的培養法，其特征是依次包括以下步驟：

1)、將無病斑、無蟲癭且健壯飽滿的西紅花球莖于55～65℃的溫水浸泡后進行水培催芽；培養條件為26～28℃、暗培養；

2)、待球莖的側芽芽眼萌發且長成高度≥0.5cm時，抹下整個側芽，將上述側芽消毒后，切取其基部0.2cm～0.5cm接種到生長培養基上進行培養，從而獲得無菌苗；培養條件為：16小時光照，光照強度30～40μmolm^-2·s^-1，溫度為27±1℃；8小時暗培養，溫度為21±1℃；上述光照和暗培養交替進行；

3)、待上述無菌苗長至1.0～1.2cm高時，剝取無菌苗上的3mm～5mm莖尖分生組織，將莖尖分生組織接種到生長培養基上進行培養，從而獲得莖尖分生組織誘導的苗；培養條件為：16小時光照，光照強度30～40μmolm^-2·s^-1，溫度為27±1℃；8小時暗培養，溫度為21±1℃；上述光照和暗培養交替進行；

4)、待上述莖尖分生組織誘導的苗長到1.5cm～2.0cm高時作為植株Ⅰ；切取植株Ⅰ上葉片，提取汁液，進行菜豆黃花葉病毒顆粒檢測；

如果沒有檢測到病毒顆粒，則進入下述步驟5)；

如果檢測到病毒顆粒，從該植株Ⅰ上剝取3mm～5mm莖尖分生組織，以此替代步驟3)中的剝取自無菌苗上的3mm～5mm莖尖分生組織重復上述步驟3)，直至獲得不含菜豆黃花葉病毒顆粒的植株Ⅰ為止；

5)、將步驟4)所得的不含菜豆黃花葉病毒顆粒的植株Ⅰ接種到誘導叢生芽培養基上進行培養；培養條件為：16小時光照，光照強度30～40μmolm^-2·s^-1，溫度為27±1℃；8小時暗培養，溫度為21±1℃；上述光照和暗培養交替進行；

6)、待從植株Ⅰ上誘導出的叢生芽長到1.0～1.5cm高時，割取2～3株作為叢生植株Ⅱ；將上述叢生植株Ⅱ接種到增殖培養基上進行培養；培養條件為：16小時光照，光照強度30～40μmolm^-2·s^-1，溫度為27±1℃；8小時暗培養，溫度為21±1℃；上述光照和暗培養交替進行；

7)、待上述植株Ⅱ長出的叢生芽長到1.0～2.0cm高，割取1～3株作為植株Ⅲ；將此植株Ⅲ接種到球莖誘導膨大培養基上進行培養，直至長成所需的規格；生長條件為：16小時光照，光照強度10～30μmolm^-2.s^-1，溫度為27±1℃；8小時暗培養，溫度為21±1℃；上述光照和暗培養交替進行。

2.根據權利要求1所述的番紅1號西紅花的脫毒試管球莖的培養法，其特征是：

所述步驟1)為將無病斑、無蟲癭且健壯飽滿的西紅花球莖于55～65℃的溫水中浸泡25～35min，隨后室溫晾干至球莖表面無水滴，再放入55～65℃的溫水中進行浸泡；重復上述晾干、浸泡1～3次后再進行水培催芽。

3.根據權利要求1或2所述的番紅1號西紅花的脫毒試管球莖的培養法，其特征是：

所述步驟2)和步驟3)中的生長培養基為：MS基本培養基+白砂糖20～30g/L+瓊脂4～6g/L，pH為5.8～6.0。

4.根據權利要求1或2所述的番紅1號西紅花的脫毒試管球莖的培養法，其特征是：

所述步驟5)中的誘導叢生芽培養基為：MS基本培養基+0.2～0.5mg/lN-苯基-N’-1,2,3-噻二唑-5脲+0.1～0.5mg/l萘乙酸+白砂糖20～30g/L+瓊脂4～6g/L，pH為5.8～6.0。

5.根據權利要求1或2所述的番紅1號西紅花的脫毒試管球莖的培養法，其特征是：

所述步驟6)中的增殖培養基為：MS基本培養基+0.3～2.0mg/l6-芐基腺嘌呤+0.05～0.1mg/l萘乙酸+20～30g/L白砂糖+4～6g/L瓊脂，pH為5.8～6.0。