[發明專利]固態成像裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201510825492.2
• 申請日: 2015-11-24
• 公開（公告）號: CN105633106B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 中村紀元
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;范文萍

1.一種固態成像裝置，包括：

第一導電型阱；

第一的第二導電型擴散層，其被設置于所述第一導電型阱中，并通過被照射光而產生載流子；

第二的第二導電型擴散層，其被設置于所述第一導電型阱中，在所述第一的第二導電型擴散層中所產生的載流子向所述第二的第二導電型擴散層被傳送并被蓄積在該第二的第二導電型擴散層中；

第一的第一導電型擴散層，其被設置于所述第二的第二導電型擴散層之下，

所述第二的第二導電型擴散層的雜質濃度高于所述第一的第二導電型擴散層的雜質濃度，

所述第一的第一導電型擴散層的雜質濃度低于所述第一導電型阱的雜質濃度，

所述第二的第二導電型擴散層構成浮置擴散層。

2.如權利要求1所述的固態成像裝置，其中，

包括第一導電型元件分離區域和第二的第一導電型擴散層，

所述第一導電型元件分離區域被設置于所述第一的第二導電型擴散層以及所述第二的第二導電型擴散層的周圍，

所述第二的第一導電型擴散層被設置于所述第一導電型元件分離區域與所述第二的第二導電型擴散層之間，

所述第一導電型元件分離區域的雜質濃度高于所述第一導電型阱的雜質濃度，

所述第二的第一導電型擴散層的雜質濃度低于所述第一導電型阱的雜質濃度。

3.如權利要求2所述的固態成像裝置，其中，

在俯視觀察時，所述第一的第一導電型擴散層與所述第二的第二導電型擴散層以及所述第二的第一導電型擴散層重疊。

4.如權利要求1至3中任一項所述的固態成像裝置，其中，

包括第三的第二導電型擴散層，所述第三的第二導電型擴散層被設置于所述第一導電型阱中，且位于所述第一的第二導電型擴散層與所述第二的第二導電型擴散層之間，在所述第一的第二導電型擴散層中所產生的載流子向所述第三的第二導電型擴散層被傳送并被蓄積在該第三的第二導電型擴散層中，

所述第三的第二導電型擴散層的雜質濃度高于所述第一的第二導電型擴散層的雜質濃度且低于所述第二的第二導電型擴散層的雜質濃度，

在所述第一的第二導電型擴散層中所產生的載流子經由所述第三的第二導電型擴散層而向所述第二的第二導電型擴散層被傳送。

5.如權利要求1至3中任一項所述的固態成像裝置，其中，

包括第一絕緣層和第一電極，

所述第一絕緣層被設置于所述第一的第二導電型擴散層與所述第二的第二導電型擴散層之間的所述第一導電型阱上，

所述第一電極被設置于所述第一絕緣層上，并用于將在所述第一的第二導電型擴散層中所產生的載流子向所述第二的第二導電型擴散層進行傳送。

6.如權利要求1至3中任一項所述的固態成像裝置，其中，

包括第二絕緣層和第二電極，

所述第二絕緣層被設置于所述第二的第二導電型擴散層上，

所述第二電極被設置于所述第二絕緣層上，并用于將被蓄積在所述第二的第二導電型擴散層中的載流子排出。

7.如權利要求1至3中任一項所述的固態成像裝置，其中，

包括被設置于所述第二的第二導電型擴散層的表面的第一導電型表面擴散層。

8.如權利要求1所述的固態成像裝置，其中，

所述第二的第二導電型擴散層經由配線而與所述第一的第二導電型擴散層電連接。