[發明專利]縱型霍爾元件

有效

• 申請號: 201510818916.2
• 申請日: 2015-11-23
• 公開（公告）號: CN105633274B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 鈴木聰之;海老原美香;飛岡孝明
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;G01R33/07
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種縱型霍爾元件，其特征在于，具有：

半導體襯底；

N型的半導體層，其設置在所述半導體襯底上；

N型的埋入層，其設置在所述半導體層的底部；

第1電流供給端，其設置在所述埋入層的上方；

一組第2電流供給端，它們以所述第1電流供給端為中心，對稱配置在所述第1電流供給端的兩側，并從所述半導體層的表面向內部設置；

一組電壓輸出端，它們以與連結所述一組第2電流供給端的直線垂直的方式，以所述第1電流供給端為中心，對稱配置在所述第1電流供給端的兩側，并從所述半導體層的表面向內部設置；以及

溝槽，其分別設置于所述第1電流供給端與所述一組電壓輸出端中的一方之間且遠離所述第1電流供給端和所述一組電壓輸出端中的一方的區域、以及所述第1電流供給端與所述一組電壓輸出端中的另一方之間且遠離所述第1電流供給端和所述一組電壓輸出端中的另一方的區域的所述半導體層，所述溝槽的內部被絕緣膜填充，

所述溝槽的深度與所述一組電壓輸出端的擴散深度相同或者比該一組電壓輸出端的擴散深度深。

2.根據權利要求1所述的縱型霍爾元件，其特征在于，

所述一組電壓輸出端的深度比所述第1電流供給端的擴散深度深。

3.根據權利要求1所述的縱型霍爾元件，其特征在于，

所述一組電壓輸出端的深度與所述第1電流供給端的擴散深度相同或者比該第1電流供給端的擴散深度淺。

4.一種縱型霍爾元件，其特征在于，具有：

半導體襯底；

N型的半導體層，其設置在所述半導體襯底上；

N型的埋入層，其設置在所述半導體層的底部；

第1電流供給端，其設置在所述埋入層的上方；

一組第2電流供給端，它們以所述第1電流供給端為中心，對稱配置在所述第1電流供給端的兩側，并從所述半導體層的表面向內部設置；

一組電壓輸出端，它們以與連結所述一組第2電流供給端的直線垂直的方式，以所述第1電流供給端為中心，對稱配置在所述第1電流供給端的兩側，并從所述半導體層的表面向內部設置；以及

場絕緣膜，其分別設置于所述第1電流供給端與所述一組電壓輸出端中的一方之間且遠離所述第1電流供給端和所述一組電壓輸出端中的一方的區域、以及所述第1電流供給端與所述一組電壓輸出端中的另一方之間且遠離所述第1電流供給端和所述一組電壓輸出端中的另一方的區域的所述半導體層，

所述場絕緣膜距所述半導體層的表面的深度與所述一組電壓輸出端距所述半導體層的表面的擴散深度相同或者比該一組電壓輸出端距所述半導體層的表面的擴散深度深。

5.根據權利要求4所述的縱型霍爾元件，其特征在于，

所述一組電壓輸出端的深度比所述第1電流供給端的擴散深度深。

6.根據權利要求4所述的縱型霍爾元件，其特征在于，

所述一組電壓輸出端的深度與所述第1電流供給端的擴散深度相同或者比該第1電流供給端的擴散深度淺。

7.一種縱型霍爾元件，其特征在于，具有：

半導體襯底；

N型的半導體層，其設置在所述半導體襯底上；

N型的埋入層，其設置在所述半導體層的底部；

第1電流供給端，其設置在所述埋入層的上方；

一組第2電流供給端，它們以所述第1電流供給端為中心，對稱配置在所述第1電流供給端的兩側，并從所述半導體層的表面向內部設置；

一組電壓輸出端，它們以與連結所述一組第2電流供給端的直線垂直的方式，以所述第1電流供給端為中心，對稱配置在所述第1電流供給端的兩側，并從所述半導體層的表面向內部設置；以及

P型的擴散層，其分別設置于所述第1電流供給端與所述一組電壓輸出端中的一方之間且遠離所述第1電流供給端和所述一組電壓輸出端中的一方的區域、以及所述第1電流供給端與所述一組電壓輸出端中的另一方之間且遠離所述第1電流供給端和所述一組電壓輸出端中的另一方的區域的所述半導體層，

所述P型的擴散層的深度比所述一組電壓輸出端的擴散深度深。