[發(fā)明專利]一種過套管電阻率模擬測量方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510815547.1 | 申請日： | 2015-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN105275463A | 公開（公告）日： | 2016-01-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳科貴;黃長兵;孫嘉戌 | 申請（專利權(quán)）人： | 西南石油大學 |
| 主分類號： | E21B49/00 | 分類號： | E21B49/00 |
| 代理公司： | 北京方圓嘉禾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 610500 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 套管 電阻率 模擬 測量方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種過套管電阻率模擬測量方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)準備模擬測量裝置：在膠結(jié)好水泥的套管中設(shè)置一個環(huán)形的強磁鐵，該磁鐵在垂直于電流的方向會產(chǎn)生一個磁場，并將套管置于水槽中，通過改變水槽中水的礦化度達到模擬套管外不同電阻率地層測量的目的；
(2)測量：首先測量套管外為空氣條件下的電壓信號，然后按照礦化度由低到高的順序，逐漸加入一定量NaCl，依次測量不同礦化度條件下的電壓響應(yīng)信號；根據(jù)霍爾效應(yīng)，當電流垂直于外磁場通過導體時，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一個附加電場，從而在導體的兩端產(chǎn)生電勢差；該電場產(chǎn)生的電流稱之為霍爾電流，相應(yīng)的電壓稱之為霍爾電壓；
(3)計算：通過在地面設(shè)置的回路電極，測量步驟(2)所產(chǎn)生的霍爾電流和電壓值，根據(jù)公式：
可得到該地層的視電阻率；其中V為我們所測量的霍爾電壓，I為霍爾電流，K為儀器系數(shù)。
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