[發明專利]一種制備Cu摻雜硫化銦薄膜的方法在審
| 申請號: | 201510814405.3 | 申請日: | 2015-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN105428217A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發明(設計)人: | 俞金玲;鄭重明;程樹英;賴云鋒;鄭巧;周海芳 | 申請(專利權)人: | 福州大學 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/225;H01L21/324;H01L31/0304 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 cu 摻雜 硫化 薄膜 方法 | ||
1.一種制備Cu摻雜硫化銦薄膜的方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟1):對透明玻璃片進行清潔處理,即將玻璃片依次在去離子水、丙酮和乙醇中進行超聲處理,然后取出、烘干;
步驟2):將步驟1)所得烘干的玻璃片置于真空蒸發爐的蒸發腔內;將硫化銦粉末置于蒸發舟中,再放進蒸發腔內;將蒸發腔抽真空后緩慢加電流對蒸發舟進行加熱,至蒸發舟內的硫化銦粉末完全蒸發,此時電流為140A,然后停止蒸發;
步驟3):將Cu顆粒在鹽酸中清洗,然后在去離子水中洗凈,再于乙醇溶液中超聲處理后,取出,迅速風干,然后放置于蒸發舟內;將放有Cu顆粒的蒸發舟放入蒸發腔內,將蒸發腔抽真空后緩慢加電流對蒸發舟進行加熱,當電流加到110A時,保持電流直到Cu顆粒全部蒸發完后停止蒸發;
步驟4):再取硫化銦粉末置于蒸發舟中,再放入蒸發腔內,抽真空后緩慢加電流對蒸發舟進行加熱,直到蒸發舟內的硫化銦粉末完全蒸發后停止蒸發;
步驟5):將步驟4)制得的樣品放在石英舟上,再放入石英管中,通入惰性氣體,然后在管式爐里將樣品在惰性氣體的保護下進行熱退火處理;
步驟6):退火結束之后,取出石英管,繼續通入惰性氣體直到石英管降為室溫,然后將樣品取出,即得所述Cu摻雜的硫化銦薄膜。
2.根據權利要求1所述制備Cu摻雜硫化銦薄膜的方法,其特征在于:步驟1)所述超聲處理的時間均為15分鐘;
所述烘干的溫度為100℃,烘干時間為25-40分鐘。
3.根據權利要求1所述制備Cu摻雜硫化銦薄膜的方法,其特征在于:步驟2)或步驟4)中經蒸發得到厚度為70nm的硫化銦薄膜;其加電流對蒸發舟進行加熱的速率為10A/分鐘。
4.根據權利要求1所述制備Cu摻雜硫化銦薄膜的方法,其特征在于:步驟3)中經蒸發得到厚度為5nm或8nm的Cu膜;其加電流對蒸發舟進行加熱的速率為20A/分鐘。
5.根據權利要求1所述制備Cu摻雜硫化銦薄膜的方法,其特征在于:步驟2)-步驟4)所述蒸發舟為鉬舟;
抽真空時,將蒸發腔內抽至真空度為1.0×10-3帕。
6.根據權利要求1所述制備Cu摻雜硫化銦薄膜的方法,其特征在于:步驟5)中通入的惰性氣體為氬氣;
熱退火處理前的通氣時間為25-40分鐘;
熱退火處理的溫度為300℃,處理時間為1小時。
7.一種如權利要求1所述方法制備的Cu摻雜硫化銦薄膜的應用,其特征在于:用于制備銅鋅錫硫薄膜太陽能電池的緩沖層。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





