[發(fā)明專利]相變自旋非易失存儲單元

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510813449.4
• 申請日: 2015-06-08
• 公開（公告）號: CN105355784B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設計）人: 施路平;李黃龍;張子陽
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311
• 代理人: 任偉

1.一種相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，該相變自旋非易失存儲單元包括磁固定層、間隔層、磁自由層，所述磁固定層、間隔層以及磁自由層依次層疊設置，其中，所述間隔層的材料為相變材料，所述相變材料為晶態(tài)相變材料或非晶態(tài)相變材料，所述相變自旋非易失存儲單元通過所述相變材料在不同相變狀態(tài)之間的變換實現(xiàn)存儲單元類型的切換。

2.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，進一步包括第一電極與第二電極，所述第一電極設置在所述磁固定層上，用于向所述磁固定層輸入或讀出電流，所述第二電極設置在所述磁自由層上，用于向所述磁自由層輸入或讀出電流；所述相變自旋非易失存儲單元利用電流焦耳熱效應引起相變材料的相變。

3.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述磁固定層與所述磁自由層的材料為磁性單質金屬。

4.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述磁固定層與所述磁自由層的材料為磁性合金。

5.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述磁固定層與所述磁自由層的材料為赫斯勒(Heusler)合金。

6.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述相變材料是(GeTe)_x(Sb₂Te₃)_y，其中x和y為整數。

7.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述相變材料是Sb-Te二元化合物與In、Ag、Bi、Ga、Se、Ti、Sn和Ge中至少一種的混合物。

8.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述相變材料為晶態(tài)相變材料，該晶態(tài)相變材料呈金屬性。

9.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述相變材料為非晶態(tài)相變材料，該非晶態(tài)相變材料呈絕緣性。

10.如權利要求1所述的相變自旋非易失存儲單元，其特征在于，所述相變自旋非易失存儲單元進一步包括數據寫入電路以及數據讀出電路，所述數據寫入電路和數據讀出電路為恒流源或脈沖信號源。