[發(fā)明專利]反向?qū)ㄐ桶雽?dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510812427.6
• 申請(qǐng)日: 2015-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN105633077B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾根田真也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L29/417
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種反向?qū)ㄐ桶雽?dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底，其具有第1主面和第2主面；

柵極電極，其隔著柵極氧化膜而形成于在所述第1主面呈條帶狀地設(shè)置的多個(gè)溝槽中；

晶體管，其具有在所述第1主面?zhèn)刃纬傻陌l(fā)射極層、在所述發(fā)射極層下形成并與所述柵極氧化膜相接觸的第2導(dǎo)電型的基極層、以及在所述第2主面?zhèn)刃纬傻牡?導(dǎo)電型的集電極層；

二極管，其在所述晶體管的旁邊形成，具有在所述第1主面?zhèn)刃纬傻牡?導(dǎo)電型的陽極層、在所述第1主面?zhèn)刃纬汕遗c所述陽極層相比雜質(zhì)濃度高的第2導(dǎo)電型的高濃度陽極層、以及在所述第2主面?zhèn)刃纬傻牡?導(dǎo)電型的陰極層；

層間膜，其在所述第1主面上形成，具有避開所述柵極電極的正上方并與所述柵極電極平行地延伸的貫通槽；

阻擋金屬層，其以與所述陽極層和所述高濃度陽極層相接觸的方式形成在所述貫通槽中；

鎢插塞，其與阻擋金屬層相接觸，掩埋所述貫通槽；以及

發(fā)射極電極，其與所述鎢插塞相接觸，

所述高濃度陽極層的寬度大于所述阻擋金屬層與所述高濃度陽極層之間的接觸寬度，

每個(gè)陽極單元的所述高濃度陽極層與所述阻擋金屬層之間的接觸面積S1，比每個(gè)所述陽極單元的所述陽極層與所述阻擋金屬層之間的接觸面積S2小，其中，陽極單元是所述陽極層和所述高濃度陽極層的重復(fù)圖案的單位，

所述接觸面積S1和所述接觸面積S2滿足0.1＜S1/(S1+S2)＜0.5，

所述高濃度陽極層的每單位面積的電阻小于或等于所述陽極層的每單位面積的電阻的1/5。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反向?qū)ㄐ桶雽?dǎo)體裝置，其特征在于，

所述高濃度陽極層在俯視觀察時(shí)配置為交錯(cuò)狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反向?qū)ㄐ桶雽?dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體襯底由寬帶隙半導(dǎo)體形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反向?qū)ㄐ桶雽?dǎo)體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導(dǎo)體是碳化硅、氮化鎵類材料或者金剛石。