[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201510811532.8
• 申請日: 2015-11-20
• 公開（公告）號: CN105633162A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 高谷秀史;朽木克博;青井佐智子;宮原真一朗
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;范文萍

1.一種半導體裝置，具有：

半導體基板，其在表面上形成有溝槽；

柵絕緣層，其覆蓋所述溝槽的內表面；

柵電極，其被配置在所述溝槽內，

在所述溝槽的側面上形成有高低差，

所述溝槽的所述側面具有：位于與所述高低差相比靠上側的上部側面； 所述高低差的表面；以及位于與所述高低差相比靠下側的下部側面，

所述半導體基板具有：

第一導電型的第一區域，其在所述上部側面處與所述柵絕緣層相接；

第二導電型的體區，其以從與所述第一區域相接的位置跨至與所述高低 差相比靠下側的位置的方式而被配置，并且在所述第一區域的下側的所述上 部側面處與所述柵絕緣層相接；

第一導電型的第二區域，其被配置于所述體區的下側，并在所述下部側 面處與所述柵絕緣層相接；

第一導電型的側部區域，其在所述高低差的表面處與所述柵絕緣層相接， 并與所述第二區域相連。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述高低差的表面以越趨向于所述溝槽的中心側越向下側位移的方式而 傾斜。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述體區具有上部區域和下部區域，所述下部區域與所述上部區域相比 第二導電型雜質濃度較低，并且被配置在所述上部區域的下側，

所述高低差被形成在所述上部區域與所述下部區域的邊界的位置處或與 所述邊界相比靠下側處。

4.一種方法，其為制造半導體裝置的方法，并包括：

在具有第一導電型的第二區域和被配置在所述第二區域上的第二導電型 的體區的半導體基板上形成溝槽的工序，所述溝槽貫穿所述體區并到達至所 述第二區域，且在與所述第二區域相比靠上側的側面上具有高低差；

通過向所述高低差的表面注入第一導電型雜質，從而形成在所述高低差 的表面上露出并與所述第二區域相連的第一導電型的側部區域的工序；

形成覆蓋所述溝槽的內表面的柵絕緣層的工序；

在所述溝槽內形成柵電極的工序；

在所述半導體基板中形成第一導電型的第一區域的工序，

在所述半導體裝置中，所述第一區域在位于與所述高低差相比靠上側的 所述溝槽的所述側面處與所述柵絕緣層相接。

5.如權利要求4所述的方法，其中，

所述體區具有：被配置在所述第二區域上的下部區域；以及被配置在所 述下部區域上并且與所述下部區域相比第二導電型雜質濃度較高的上部區 域，

在形成所述溝槽的工序中，通過對所述半導體基板進行蝕刻，從而形成 貫穿所述上部區域與所述下部區域并到達至所述第二區域的溝槽。

6.如權利要求4或5所述的方法，其中，

所述方法還具有通過向所述溝槽的底面注入第二導電型雜質，從而形成 在所述底面上露出的第二導電型的底部區域的工序，

形成所述柵絕緣層的工序具有：

在所述第二導電型雜質的所述注入后且在所述第一導電型雜質的所述注 入前，在與所述高低差相比靠下側的所述溝槽內形成底部絕緣層的工序；

在所述第一導電型雜質的所述注入后，在與所述底部絕緣層相比靠上側 的所述溝槽的所述側面上形成側部絕緣膜的工序。

7.如權利要求4至6中的任意一項所述的方法，其中，

在向所述高低差的表面注入第一導電型雜質的工序中，向與所述溝槽相 鄰的所述半導體基板的表面注入第一導電型雜質。