[發明專利]一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構及其封裝方法

在審

• 申請號: 201510807435.1
• 申請日: 2015-11-20
• 公開（公告）號: CN105304586A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 張黎;龍欣江;賴志明;陳棟;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/535;H01L23/12;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 趙華

1.一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其包括上表面設有芯片電極及相應電路布局的芯片單體，所述芯片單體的芯片本體的上表面覆蓋芯片表面鈍化層并開設有芯片表面鈍化層開口，芯片電極的上表面露出芯片表面鈍化層開口，

其特征在于：還包括薄膜包封體，一個或一個以上所述芯片單體由背面嵌入薄膜包封體內，在所述芯片單體的上表面和薄膜包封體的上表面覆蓋絕緣薄膜層Ⅰ，并于所述芯片電極的上表面開設絕緣薄膜層Ⅰ開口，在絕緣薄膜層Ⅰ的上表面選擇性地形成不連續的再布線金屬層和絕緣薄膜層Ⅱ，所述再布線金屬層填充絕緣薄膜層Ⅰ開口，所述再布線金屬層與每一所述芯片電極實現電性連接，并選擇性地實現兩個以上關聯的所述芯片電極之間的電性連接，在再布線金屬層的最外層設有輸入/輸出端，所述絕緣薄膜層Ⅱ覆蓋再布線金屬層并露出其輸入/輸出端，在所述輸入/輸出端處形成連接件，所述薄膜包封體的背面設置硅基加強板，所述硅基加強板面向薄膜包封體的一面設置結合結構。

2.根據權利要求1所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其特征在于：所述結合結構為復數個凸出或者凹陷于所述硅基加強板面向薄膜包封體的那面的紋理結構。

3.根據權利要求1或2所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其特征在于：所述結合結構為棱狀結構、點狀結構、波紋狀結構的一種或任意幾種的組合。

4.根據權利要求1所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其特征在于：所述硅基加強板的厚度范圍為不大于200微米。

5.根據權利要求4所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其特征在于：所述硅基加強板的厚度范圍為50～100微米。

6.根據權利要求1所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其特征在于：所述再布線金屬層為單層或多層。

7.根據權利要求1或6所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其特征在于：所述再布線金屬層的輸入/輸出端設置于芯片單體的垂直區域的外圍。

8.根據權利要求1所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構，其特征在于：所述絕緣薄膜層Ⅰ開口內植入金屬柱，所述金屬柱連接再布線金屬層與芯片電極。

9.一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構的封裝方法，包括步驟：

步驟一，取集成電路晶圓，其表面設有芯片電極及相應電路布局，覆蓋于晶圓上表面的芯片表面鈍化層于芯片電極上方開設芯片表面鈍化層開口露出芯片電極的上表面；

步驟二，對集成電路晶圓進行參數測試，將合格之集成電路晶圓的背面進行減薄工藝，再切割成復數顆獨立的芯片單體；

步驟三，在支撐載體的支撐載體本體上黏貼剝離膜；

步驟四，將芯片單體有序地倒裝至支撐載體上，芯片單體通過剝離膜與支撐載體本體固定；

步驟五，在真空環境下，在支撐載體上貼覆薄膜包封芯片單體，形成薄膜包封體；

步驟六，將硅基加強板鍵合至薄膜包封體的背面，并上下180度翻轉；

步驟七，將支撐載體本體和剝離膜剝離芯片單體和薄膜包封體的表面，并對芯片單體的表面進行清洗，并去除殘留物，露出芯片電極的上表面；

步驟八，在芯片單體的上表面和薄膜包封體的上表面貼覆絕緣薄膜層Ⅰ；

步驟九，利用光刻工藝或激光工藝形成絕緣薄膜層Ⅰ開口露出芯片電極的上表面；

步驟十，利用成熟的再布線工藝形成再布線金屬層，在再布線金屬層的最外層設有輸入/輸出端，絕緣薄膜層Ⅱ覆蓋再布線金屬層，并露出其輸入/輸出端；

步驟十一，在再布線金屬層的輸入/輸出端處形成連接件；

步驟十二，將硅基加強板的下表面減薄至硅基加強板留有厚度h，將上述通過圓片級工藝完成的帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構進行切割形成復數顆獨立的封裝體。

10.根據權利要求9所述的一種帶有加強結構的芯片嵌入式封裝結構的封裝方法，其特征在于：在步驟六中，所述硅基加強板朝向薄膜包封體的背面的那面設置有結合結構，該結合結構通過干法或濕法刻蝕成形。