[發(fā)明專利]一種反射電極結(jié)構(gòu)件及離子源

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510804064.1
• 申請(qǐng)日: 2015-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN105390355A
• 公開（公告）日: 2016-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭立波;袁衛(wèi)華;孫雪平;易文杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
• 主分類號(hào): H01J27/20
• 分類號(hào): H01J27/20;H01J27/22
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務(wù)所 43008
• 代理人: 周長(zhǎng)清

1.一種反射電極結(jié)構(gòu)件，其特征在于：包括高熔點(diǎn)金屬材料制備的對(duì)置反射電極（3）和低熔點(diǎn)金屬材料制備的被濺射件（4），所述對(duì)置反射電極（3）的前端設(shè)有安裝槽（31），所述被濺射件（4）嵌裝于安裝槽（31）內(nèi)，并與安裝槽（31）的內(nèi)壁鄰接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射電極結(jié)構(gòu)件，其特征在于：所述對(duì)置反射電極（3）為坩堝狀結(jié)構(gòu)，所述對(duì)置反射電極（3）的上表面為水平設(shè)置的大端面，所述安裝槽（31）正向朝上，且置于對(duì)置反射電極（3）的中間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射電極結(jié)構(gòu)件，其特征在于：所述安裝槽（31）的內(nèi)壁為矩形、半球形或錐體結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的反射電極結(jié)構(gòu)件，其特征在于：所述對(duì)置反射電極（3）由高熔點(diǎn)的金屬鉬或鉭制備而成，所述被濺射件（4）由低熔點(diǎn)的金屬鋁制備而成。

5.一種離子源，包括等離子體生成弧室（1）和熱陰極燈絲（2），所述熱陰極燈絲（2）設(shè)置于等離子體生成弧室（1）內(nèi)部上端，其特征在于：還包括權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的反射電極結(jié)構(gòu)件（5），所述反射電極結(jié)構(gòu)件（5）設(shè)于等離子體生成弧室（1）內(nèi)部下端，且與熱陰極燈絲（2）相對(duì)布置；所述等離子體生成弧室（1）在弧室內(nèi)部生成等離子體，兼作為陽極，原料氣體被導(dǎo)入所述等離子體生成弧室（1）內(nèi)部，所述熱陰極燈絲（2）放出使所述原料氣體等離子化的電子，所述對(duì)置反射電極（3）將熱陰極燈絲（2）放出的電子向熱陰極燈絲（2）一側(cè)反射，所述被濺射件（4）通過等離子體濺射放出離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子源，其特征在于：所述熱陰極燈絲（2）的電子放出部的中心、所述對(duì)置反射電極（3）的中心，以及被濺射件（4）的中心均位于同一軸線（6）上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子源，其特征在于：所述等離子體生成弧室（1）內(nèi)設(shè)有磁場(chǎng)（7），所述磁場(chǎng)（7）的磁感線沿軸線（6）自熱陰極燈絲（2）向反射電極結(jié)構(gòu)件（5）的方向發(fā)射。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子源，其特征在于：所述等離子體生成弧室（1）上靠近磁場(chǎng)（7）的一側(cè)面設(shè)有原料氣體的引入口（11），另一相對(duì)的側(cè)面設(shè)有離子束引出口（12），所述引出口（12）為錐形且大端朝外的開口，所述等離子體生成弧室（1）外設(shè)有引出離子束流的引出電極（8），所述引出電極（8）正對(duì)引出口（12）。

9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任意一項(xiàng)所述的離子源，其特征在于：所述等離子體生成弧室（1）與熱陰極燈絲（2）、對(duì)置反射電極（3）之間均設(shè)有偏壓電源（9）。