[發明專利]具有柵極堆疊件的半導體器件結構的結構和形成方法

有效

• 申請號: 201510802511.X
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN105742344B
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發明（設計）人: 楊柏峰;張哲誠;林木滄;程潼文;張哲豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件結構，包括：

半導體襯底；

柵電極，位于所述半導體襯底上方；

源極/漏極結構，鄰近所述柵電極，其中，所述源極/漏極結構具有在所述半導體襯底的上表面處測量的第一寬度、在所述源極/漏極結構的最底表面測量的第二寬度以及在所述半導體襯底的上表面和所述源極/漏極結構的最底表面之間測量的第三寬度，所述第三寬度大于所述第一寬度和所述第二寬度；以及

間隔件元件，位于所述柵電極的側壁上方，其中：

所述間隔件元件具有上部和下部，所述上部具有第一外表面，所述下部具有第二外表面，

所述第一外表面和所述柵電極的側壁之間的橫向距離相同，和

所述第二外表面包括彎曲表面，所述第二外表面的所述彎曲表面向內彎曲，并且，所述彎曲表面連接并終止于所述半導體襯底的頂面所在的平面，所述第二外表面和所述柵電極的側壁之間的橫向距離沿著從所述下部的頂部朝著所述半導體襯底的方向增大，所述間隔件元件的所述下部的厚度沿著從所述間隔件元件的所述下部的頂部朝著所述半導體襯底的方向連續地并且逐漸地增大。

2.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述第二外表面和所述柵電極的側壁之間的一個橫向距離與所述第一外表面和所述柵電極的側壁之間的橫向距離的比率在從1.2至2的范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述間隔件元件的所述上部的厚度相同。

4.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述間隔件元件的所述下部寬于所述間隔件元件的所述上部。

5.根據權利要求1所述的半導體器件結構，還包括：

第二間隔件元件，位于所述間隔件元件和所述柵電極之間。

6.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述間隔件元件的底部和所述第二外表面之間的角度在從1度至85度的范圍內。

7.根據權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述第一外表面與所述柵電極的側壁平行。

8.一種半導體器件結構，包括：

半導體襯底；

柵電極，位于所述半導體襯底上方；

源極/漏極結構，鄰近所述柵電極，其中，所述源極/漏極結構具有在所述半導體襯底的上表面處測量的第一寬度、在所述源極/漏極結構的最底表面測量的第二寬度以及在所述半導體襯底的上表面和所述源極/漏極結構的最底表面之間測量的第三寬度，所述第三寬度大于所述第一寬度和所述第二寬度；以及

間隔件元件，位于所述柵電極的側壁上方，其中，所述間隔件元件具有突出基腳部件，并且所述突出基腳部件覆蓋所述源極/漏極結構的部分，所述突出基腳部件具有彎曲的外表面，所述彎曲的外表面向內彎曲，并且所述彎曲的外表面連接并終止于所述半導體襯底的頂面所在的平面，所述突出基腳部件的厚度沿著從所述突出基腳部件的頂部朝著所述半導體襯底的方向連續地并且逐漸地增大，

所述間隔件元件還具有位于所述突出基腳部件上方的上部，并且所述上部的外表面與所述柵電極的側壁平行。