[發明專利]具有襯底適配器的半導體元件及其制造方法和其接觸方法

在審

• 申請號: 201510802140.5
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN105632951A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 馬丁·布雷夫斯;安德列亞斯·欣里希;安德列亞斯·克萊因;邁克爾·舍費爾;伊利薩·維賽勒
• 申請（專利權）人: 賀利氏德國有限及兩合公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 程爽;鄭霞

1.一種用于制造至少一個具有襯底適配器(35'、35”、35”')的半導體元件(10'、10”、 10”')的方法，包括以下步驟：

-結構化導電金屬元件(12)，

-將接觸材料(11)施加在半導體元件(10)的第一側面(13)，其中所述半導體元件(10) 以第二側面(14)布置在轉運元件(20)上，

-定位結構化的金屬元件(12)和半導體元件(10)，使得所述結構化的金屬元件(12)的 第一側面(21)與設置有所述接觸材料(11)的、所述半導體元件(10)的第一側面(13)相對布 置，并且

-將所述結構化的金屬元件(12)與設置有所述接觸材料(11)的所述半導體元件(10)接 合。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將與所述半導體元件(10)和所述接觸材料 (11)結合的、結構化的金屬元件(12)分開以便進一步處理，從而使得所述轉運元件(20)將 由分開的金屬元件(12'、12”、12”')和接觸材料(11)構成的襯底適配器(35'、35”、35”')彼 此保持一定距離地進行固定。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述轉運元件(20)是薄膜框架和/或晶圓 框架。

4.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，具有被施加的接觸材料(11)和 結合的金屬元件(12)的所述半導體元件(10)與轉運元件(20)分離開，并且被放置在設置有 另一種接觸材料(25)的載體(30)上，其中所述半導體元件(10)的第二側面(14)與設置有另 一種接觸材料(25)的載體(30)接觸。

5.如權利要求2至4中任一項所述的方法，其特征在于，具有至少一個襯底適配器(35'、 35”、35”')的至少一個單獨的半導體元件(10'、10”、10”')與所述轉運元件(20)分離開，并 且被放置在設置有另一種接觸材料(25)的載體(30)上，其中至少一個單獨的所述半導體元 件(10'、10”、10”')的第二側面(14)與設置有另一種接觸材料(25)的載體(30)接觸。

6.如權利要求2至5中任一項所述的方法，其特征在于，優選在與所述半導體元件(10) 和接觸材料(11)結合的結構化的金屬元件(12)被分開之前，在所述結構化的金屬元件(12) 的第二側面(22)上施加保護膜(40)。

7.如前述權利要求中任一項，特別是如權利要求4至6中任一項所述的方法，其特征在 于，所述轉運元件(20)和/或所述載體(30)是薄膜，其與相關接觸材料(11、25)或金屬元件 (10)或半導體元件(10)的附著力比在所述接觸材料(11、25)和/或金屬元件(10)和/或半導 體元件(10)之間的連接的附著力小。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述轉運元件(20)與至少一個半導體元件 (10、10'、10”、10”')之間的附著力和/或在所述載體(30)與另一種接觸材料(25)之間的附 著力比在所述至少一個半導體元件(10、10'、10”、10”')與接觸材料(11)之間的附著力或在 所述另一種接觸材料(25)與所述至少一個半導體元件(10、10'、10”、10”')之間的附著力 小，從而使得當至少一個半導體元件(10、10'、10”、10”')從所述轉運元件(20)分離時所述 接觸材料(11)粘附在金屬元件(12'，12”，12”')上，和/或當至少一個半導體元件(10'、10”、 10”')從所述載體(30)分離時所述另一種接觸材料(25)粘附在所述半導體元件(10'，10”， 10”')上。

9.如前述權利要求中任一項，特別是如權利要求4至8中任一項所述的方法，其特征在 于，將所述接觸材料(11)施加在所述半導體元件(10)的第一側面(13)上和/或將所述另一 種接觸材料(25)施加在所述載體(30)的側面(31)上是通過預定的結構來實施的，所述預定 的結構完全匹配所述結構化的金屬元件(12)的結構和/或所述半導體元件(10)的結構。