[發(fā)明專利]芯片的阻擋層及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510801891.5 | 申請(qǐng)日： | 2015-11-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106783800B | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 榮延棟;鄭金果;侯玨;盧平元;夏威;王厚工;丁培軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/532 | 分類號(hào)： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京薈英捷創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 左文;段志慧 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 阻擋 及其 制備 方法 | ||
1.一種芯片的阻擋層，其特征在于，所述阻擋層為多層金屬薄膜層疊的結(jié)構(gòu)，且所述阻擋層中至少一層金屬薄膜具有非晶結(jié)構(gòu)，
所述阻擋層中至少一層金屬薄膜具有晶體結(jié)構(gòu)，具有晶體結(jié)構(gòu)的金屬薄膜與具有非晶結(jié)構(gòu)的金屬薄膜交替設(shè)置，具有非晶結(jié)構(gòu)的金屬薄膜為鈦鎢氮薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的阻擋層，其特征在于，具有晶體結(jié)構(gòu)的金屬薄膜為鈦鎢薄膜、鈦薄膜、鎢薄膜、鉭薄膜、鉬薄膜、鈷薄膜或鉑薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的阻擋層，其特征在于，所述阻擋層包括一層具有非晶結(jié)構(gòu)的金屬薄膜和兩層具有晶體結(jié)構(gòu)的金屬薄膜，該具有非晶結(jié)構(gòu)的金屬薄膜設(shè)置于兩層具有晶體結(jié)構(gòu)的金屬薄膜之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片的阻擋層，其特征在于，所述具有晶體結(jié)構(gòu)的金屬薄膜為鈦鎢薄膜。
5.一種芯片的阻擋層的制備方法，形成如權(quán)利要求1-4之一所述的阻擋層，其特征在于，所述制備方法包括： 采用濺射工藝制備鈦鎢薄膜，制備時(shí)采用鈦鎢合金作為靶材并加載直流功率，采用氬氣作為濺射氣體； 采用濺射工藝制備鈦鎢氮薄膜，制備時(shí)采用鈦鎢合金作為靶材并加載直流功率，采用氬氣和氮?dú)庾鳛闉R射氣體； 其中，制備鈦鎢薄膜的步驟和制備鈦鎢氮薄膜的步驟交替進(jìn)行，無需更換靶材，無需更換濺射氣體，也無需在制備好一種薄膜后制備另一種薄膜前中斷濺射鍍膜工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片的阻擋層的制備方法，其特征在于，制備鈦鎢薄膜時(shí)，氬氣的流量為5sccm～200sccm，直流功率為0～60kW，所制備的鈦鎢薄膜的厚度為5nm～300nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片的阻擋層的制備方法，其特征在于，制備鈦鎢薄膜時(shí)，氬氣的流量為20sccm，直流功率為5kW，所制備的鈦鎢薄膜的厚度為20nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片的阻擋層的制備方法，其特征在于，制備鈦鎢氮薄膜時(shí)，氬氣的流量為5sccm～200sccm，氮?dú)獾牧髁繛?sccm～200sccm， 直流功率為0～60kW，所制備的鈦鎢氮薄膜的厚度為5nm～300nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的芯片的阻擋層的制備方法，其特征在于，制備鈦鎢氮薄膜時(shí)，氬氣的流量為20sccm，氮?dú)獾牧髁繛?0sccm，直流功率為5kW，所制備的鈦鎢氮薄膜厚度為10nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司，未經(jīng)北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510801891.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
