[發(fā)明專利]一種P溝道場效應(yīng)晶體管抗單粒子效應(yīng)加固電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510792290.2 | 申請(qǐng)日： | 2015-11-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105245221B | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 唐明華;陳毅華;燕少安;張萬里 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 湘潭大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H03K19/094 | 分類號(hào)： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 湘潭市匯智專利事務(wù)所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 顏昌偉 |
| 地址： | 411105*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 溝道 場效應(yīng) 晶體管 粒子 效應(yīng) 加固 電路 | ||
1.一種P溝道場效應(yīng)晶體管抗單粒子效應(yīng)加固電路，其特征在于：包括第一場效應(yīng)晶體管、第二場效應(yīng)晶體管、第三場效應(yīng)晶體管、第四場效應(yīng)晶體管、第五場效應(yīng)晶體管、第六場效應(yīng)晶體管；第一場效應(yīng)晶體管的柵極、第二場效應(yīng)晶體管的柵極、第五場效應(yīng)晶體管的柵極相連作為輸入端，第一場效應(yīng)晶體管的漏極、第三場效應(yīng)晶體管的漏極、第五場效應(yīng)晶體管的漏極相連作為輸出端，第一場效應(yīng)晶體管的源極與第二場效應(yīng)晶體管的漏極相連，第二場效應(yīng)晶體管的源極與電源相連，第四場效應(yīng)晶體管的柵極、第六場效應(yīng)晶體管的柵極與第五場效應(yīng)晶體管的柵極相連，第四場效應(yīng)晶體管的漏極、第六場效應(yīng)晶體管的漏極與第三場效應(yīng)晶體管的柵極相連，第四場效應(yīng)晶體管的源極與電源相連，第五場效應(yīng)晶體管的源極、第六場效應(yīng)晶體管的源極、第三場效應(yīng)晶體管的源極都接地；所述第一場效應(yīng)晶體管、第二場效應(yīng)晶體管、第三場效應(yīng)晶體管、第四場效應(yīng)晶體管均為P溝道場效應(yīng)晶體管，第五場效應(yīng)晶體管、第六場效應(yīng)晶體管均為N溝道場效應(yīng)晶體管。
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