[發明專利]一種基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法在審
| 申請號： | 201510788271.2 | 申請日： | 2015-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN105439083A | 公開（公告）日： | 2016-03-30 |
| 發明（設計）人： | 巢炎;姚安琦;焦曉東;吳立群;劉先歡;王盛 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B82Y40/00;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 杭州金道專利代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 超聲 駐波 制備 硅微納 結構 陣列 方法 | ||
1.一種基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是按如下步驟：
(1)、配比腐蝕液：腐蝕液由HF溶液、H2O2溶液和AgNO3溶液均勻混配而成；
(2)、將步驟(1)的腐蝕液放入反應釜中，反應釜置于超聲發生器形成的超聲駐波場中，開啟超聲波電源，形成超聲駐波場；
(3)、將清洗后的單晶硅硅片放入反應釜中，腐蝕時間30-60min后，得到單晶硅微納結構陣列。
2.如權利要求1所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：腐蝕液由質量分數10％的HF溶液、質量分數0.06％的H2O2溶液和濃度為0.03mol/L的AgNO3溶液均勻混配而成。
3.如權利要求1或2所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：HF溶液、H2O2溶液和AgNO3溶液的體積比為5:2:3。
4.如權利要求1所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：步驟(2)，超聲波頻率20k赫茲。
5.如權利要求1所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：步驟(3)，單晶硅硅片在反應釜中腐蝕時間30-60min，得到單晶硅微納結構陣列。
6.一種基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是按如下步驟：
(1)、配比腐蝕液：腐蝕液由HF溶液和H2O2溶液均勻混配而成；
(2)、將步驟(1)的腐蝕液放入反應釜中，反應釜置于超聲發生器形成的超聲駐波場中，開啟超聲波電源，形成超聲駐波場；
(3)、將鍍銀的單晶硅硅片放入反應釜中，腐蝕時間30-60min后，得到單晶硅微納結構陣列。
7.如權利要求6所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：腐蝕液由質量分數10％的HF溶液和質量分數0.06％的H2O2溶液均勻混配而成。
8.如權利要求6或7所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：HF溶液和H2O2溶液的體積比為5:2。
9.如權利要求6所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：步驟(2)，超聲波頻率20k赫茲。
10.如權利要求6所述的基于超聲駐波場制備硅微納結構陣列的方法，其特征是：步驟(3)，單晶硅硅片在反應釜中腐蝕時間30-60min，得到單晶硅微納結構陣列。
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