[發明專利]智能手機屏幕、系統及制備方法有效
| 申請號: | 201510780864.4 | 申請日: | 2015-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN105355640B | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 李琛;趙宇航 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04M1/02 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;尹英 |
| 地址: | 201210 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 智能 手機屏幕 系統 制備 方法 | ||
1.一種集成有大尺寸圖像傳感器的智能手機屏幕,其特征在于,包括:
有源區,在一硅襯底中形成,有源區具有發光二極管和與所述發光二極管交錯排布的感光二極管、以及位于所述發光二極管和所述感光二極管外側的多晶硅;
在所述有源區上形成有互連層;所述互連層具有互連線和位于互連線間的介質;位于所述感光二極管上的所述互連層部分具有溝槽;
界面區,在所述互連層上;所述界面區具有對應于所述圖像傳感器的上方的從下向上依次形成的彩色濾鏡和微透鏡、以及對應于所述多晶硅上方的接觸塊;其中,所述感光二極管、位于所述感光二極管上方的互連層部分、位于所述互連層上方的所述彩色濾鏡和所述微透鏡構成圖像傳感器像素;所述發光二極管和位于所述發光二極管上方的互連層部分構成屏幕顯示像素;所述多晶硅、位于所述多晶硅上方的互連層部分和所述接觸塊構成引出極區;
屏幕板,位于所述界面區上方。
2.根據權利要求1所述的智能手機屏幕,其特征在于,多個所述屏幕顯示像素對應一個所述圖像傳感器像素。
3.根據權利要求1所述的智能手機屏幕,其特征在于,還包括一控制器;所述控制器控制所述屏幕的一部分的所述圖像傳感器像素開啟,所述屏幕顯示像素關閉;同時,所述控制器控制所述屏幕的其它部分的所述圖像傳感器關閉,所述屏幕顯示像素開啟,所述屏幕的一部分的所述圖像傳感器像素將探測到的信號發送給所述屏幕顯示像素,所述屏幕顯示像素的發光二極管將所述信號轉換為圖像并且呈現在所述屏幕板上。
4.根據權利要求3所述的智能手機屏幕,其特征在于,所述控制器還控制每個所述圖像傳感器像素的啟閉。
5.根據權利要求1所述的智能手機屏幕,其特征在于,在所述互連層頂部表面還具有氮化硅鈍化層,用于保護所述互連層。
6.根據權利要求1所述的智能手機屏幕,其特征在于,所述有源區之間具有淺溝槽隔離結構。
7.根據權利要求6所述的智能手機屏幕,其特征在于,所述圖像傳感器像素包括:在所述有源區中形成的摻雜阱區,包括IO器件的阱區、CORE器件的阱區、感光二極管的PN結、感光二極管工作的時序信號器件的阱區;在所述摻雜阱區上形成的柵氧和多晶硅柵;在所述多晶硅柵兩側底部的阱區中形成的淺摻雜漏區、在多晶硅柵側壁形成的側墻、在所述淺摻雜漏區中形成的源漏摻雜區、以及在所述源漏摻雜區形成的硅化物。
8.一種集成有大尺寸圖像傳感器的智能手機屏幕系統,其特征在于,包括:控制器,可拆卸鏡頭,以及權利要求1-7任意一項所述的智能手機屏幕;其中,
可拆卸鏡頭可拆卸地安裝于所述屏幕板上;所述可拆卸鏡頭通過吸附環連接在所述屏幕板上;所述可拆卸鏡頭的一端連接于所述吸附環中,所述吸附環吸附在所述屏幕板上;所述鏡頭下方與所述圖像傳感器像素相對應;
一控制器控制所述圖像傳感器像素和所述屏幕顯示像素的之間的啟閉切換;
光線從所述可拆卸鏡頭入射并且依次穿過所述屏幕板、所述微透鏡、以及所述彩色濾鏡,然后通過所述溝槽入射到所述感光二極管上;
所述圖像傳感器像素將所探測到的信號發送到所述屏幕顯示像素,所述屏幕顯示像素將所述信號轉換為圖像并呈現在所述屏幕板上;所述引出極區連接外電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司,未經上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510780864.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





