[發(fā)明專(zhuān)利]鎳金凸塊的制作方法及鎳金凸塊組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510778810.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105355574B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梅嬿 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 頎中科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/60 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/60;H01L21/3213;H01L23/48 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215123 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鎳金凸塊 制作方法 組件 | ||
1.一種鎳金凸塊的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一晶圓,所述晶圓上設(shè)置有金屬墊塊;
在所述晶圓及所述金屬墊塊的上方設(shè)置有鈍化保護(hù)層,在所述鈍化保護(hù)層和部分所述金屬墊塊上濺鍍第一金屬層,并在第一金屬層上濺鍍第二金屬層;
在所述第二金屬層上設(shè)置光阻層;
曝光顯影,在所述光阻層上制造所述凸塊的窗格,所述窗格正對(duì)于所述金屬墊塊的位置;
在所述窗格內(nèi)電鍍鎳質(zhì)金屬層,并在所述鎳質(zhì)金屬層上電鍍形成金質(zhì)金屬層,所述鎳質(zhì)金屬層和金質(zhì)金屬層的側(cè)面貼合在所述窗格的側(cè)面上;
在所述金質(zhì)金屬層的上表面電鍍預(yù)留層;
去除光阻層,用化學(xué)藥劑去除所述窗格之外的光阻層;
通過(guò)物理轟擊的干蝕刻方式自上向下均勻蝕刻去除位于所述凸塊底部外側(cè)的第二金屬層;
利用濕蝕刻方式蝕刻去除第一金屬層;
高溫烘烤釋放應(yīng)力后,完成所述凸塊的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳金凸塊制作方法,其特征在于:通過(guò)設(shè)定蝕刻機(jī)的蝕刻量參數(shù)不小于所述第二金屬層的厚度來(lái)確保位于所述凸塊外側(cè)的所述第二金屬層被完全蝕刻去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳金凸塊制作方法,其特征在于:所述第一金屬層的材質(zhì)為鈦或鈦鎢。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳金凸塊制作方法,其特征在于:所述第二金屬層的材質(zhì)為金。
5.一種鎳金凸塊組件,凸出形成于半導(dǎo)體晶圓組件上方,其特征在于:所述鎳金凸塊組件包括下端帶凸出部的凸塊、粘合在所述凸塊與所述晶圓組件之間的金屬層,所述凸塊包括金質(zhì)金屬層、設(shè)置于所述金質(zhì)金屬層下的鎳質(zhì)金屬層以及設(shè)置于所述金質(zhì)金屬層上的預(yù)留層,所述凸塊和金屬層分別具有位于頂端的上表面和位于底端的下表面,所述金屬層包括設(shè)置在所述凸塊下方的種子金屬層、及設(shè)置在所述種子金屬層下的襯底金屬層,所述凸塊和種子金屬層分別具有位于四周的第一側(cè)面和第二側(cè)面,所述種子金屬層的材質(zhì)為金且所述種子金屬層通過(guò)物理轟擊的干蝕刻方式制得,以使得所述凸塊的第一側(cè)面和所述種子金屬層的對(duì)應(yīng)第二側(cè)面在豎直方向上相平齊;所述襯底金屬層利用濕蝕刻方式蝕刻制得。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鎳金凸塊組件,其特征在于:所述晶圓組件包括晶圓、設(shè)置于所述晶圓上的金屬墊塊,以及設(shè)置在所述金屬墊塊和所述晶圓上的鈍化保護(hù)層,所述鈍化保護(hù)層上具有一與所述凸塊的凸出部相配合的倒錐臺(tái)孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鎳金凸塊組件,其特征在于:所述預(yù)留層的材質(zhì)為金。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鎳金凸塊組件,其特征在于:所述襯底金屬層的材質(zhì)為鈦或鈦鎢。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





