[發明專利]具有電鍍的金屬格柵的太陽能電池有效
| 申請號: | 201510778132.1 | 申請日: | 2011-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN105449014B | 公開(公告)日: | 2018-06-19 |
| 發明(設計)人: | 傅建明;徐征;游晨濤;王君俊 | 申請(專利權)人: | 光城公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 申發振 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 金屬粘合層 光伏結構 金屬格柵 電鍍 堆疊 金屬 半導體結構 操作期間 抗反射層 正面電極 傳導層 淀積 格柵 制造 | ||
1.一種太陽能電池,包括:
光伏結構,包括發射極層,其中所述發射極層包括重摻雜區域;
透明導電氧化物TCO層,位于所述光伏結構的第一側上;以及
第一金屬格柵,位于所述TCO層的第一側上,其中所述第一金屬格柵包括多個金屬層,并且其中所述多個金屬層至少包括:
金屬粘合層,所述金屬粘合層包括Ti或Ta,位于所述TCO層上且與所述TCO層直接接觸,其中所述金屬粘合層使用物理氣相淀積技術形成,
Cu種子層,所述Cu種子層位于所述金屬粘合層上,其中所述Cu種子層使用物理氣相淀積技術形成,以及
電鍍Cu層,位于所述Cu種子層上,并且
其中所述TCO層覆蓋所述發射極層的整個表面,并且所述金屬粘合層沉積在所述TCO層上。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中所述金屬粘合層還包括以下中的一個或更多:Co、W、Cr、Mo、Ni、氮化鈦(TiNx)、鎢化鈦(TiWx)、硅化鈦(TiSix)、氮化硅鈦(TiSiN)、氮化鉭(TaNx)、氮化硅鉭(TaSiNx)、鎳釩(NiV)、氮化鎢(WNx)以及它們的組合。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中所述物理氣相淀積技術包括以下中的一個:蒸發和濺射淀積。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中所述第一金屬柵格還包括含Sn或Ag的焊接層。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中所述金屬粘合層具有在1nm和1000nm之間的厚度。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池,其中所述金屬粘合層具有在5nm和50nm之間的厚度。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中所述TCO層包括以下中的至少一個:
氧化銦錫(ITO);
氧化鋁鋅(AZO);
氧化鎵鋅(GZO);以及
摻鎢氧化銦(IWO)。
8.一種用于制造太陽能電池的方法,包括:
在半導體結構的第一表面上形成發射極層并在所述發射極層的第一表面上形成透明導電氧化物TCO層,以形成光伏結構;
在所述TCO層的第一表面上形成包括金屬堆疊的第一電極格柵,其中形成所述第一電極格柵包括:
在所述TCO層的所述第一表面上使用物理氣相淀積技術淀積包括Ti或Ta的金屬粘合層,
在所述金屬粘合層上使用物理氣相淀積技術淀積Cu種子層,以及
使用電鍍技術在所述Cu種子層上淀積包括Cu的體金屬層,并且
其中所述TCO層覆蓋所述發射極層的整個表面,并且所述金屬粘合層沉積在所述TCO層上。
9.根據權利要求8所述的方法,其中所述金屬粘合層還包括以下中的一個或更多:Co、W、Cr、Mo、Ni、氮化鈦(TiNx)、鎢化鈦(TiWx)、硅化鈦(TiSix)、氮化硅鈦(TiSiN)、氮化鉭(TaNx)、氮化硅鉭(TaSiNx)、鎳釩(NiV)、氮化鎢(WNx)以及它們的組合。
10.根據權利要求8所述的方法,其中所述物理氣相淀積技術包括以下中的一個:蒸發和濺射淀積。
11.根據權利要求8所述的方法,其中形成所述第一電極格柵還包括在所述體金屬層的第一表面上形成包括Sn或Ag的焊接層。
12.根據權利要求8所述的方法,其中所述金屬粘合層具有在1nm和1000nm之間的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





