[發(fā)明專利]一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510773072.4 | 申請日: | 2015-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN105299478A | 公開(公告)日: | 2016-02-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳倫俊;池振華;盧偉;劉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 成都市卓新實業(yè)有限公司 |
| 主分類號: | F17D5/02 | 分類號: | F17D5/02 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 胡林 |
| 地址: | 610500 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 能夠 快速 讀出 法蘭 管線 累計 使用時間 方法 | ||
1.一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:在法蘭本體內(nèi)埋設(shè)芯片和信號源,安裝法蘭時激活信號源發(fā)出信號,芯片接收到信號后開始計時并保存,需要知道法蘭累計使用時間時,用數(shù)據(jù)讀取裝置掃描法蘭,法蘭將保存的時間發(fā)送給數(shù)據(jù)讀取裝置,數(shù)據(jù)讀取裝置顯示出接收到的時間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:所述芯片內(nèi)還保存有法蘭及管線規(guī)格型號、生產(chǎn)時間、生產(chǎn)編號、使用壽命和累計使用時間,數(shù)據(jù)讀取裝置掃描法蘭本體時,芯片同時也會將法蘭規(guī)格型號、生產(chǎn)時間、生產(chǎn)編號、使用壽命和累計使用時間的信息發(fā)送給數(shù)據(jù)讀取裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:所述芯片包括信號接收模塊、信號處理模塊、計時模塊和信息保存模塊,信號接收模塊用于接收傳感器傳輸過來的信號,所述信號處理模塊根據(jù)信號接收模塊接收到的信號,控制計時模塊開始計時或者結(jié)束計時,所述計時模塊用于記錄時間并將記錄的時間發(fā)送給信息保存模塊,所述信息保存模塊用于存儲計時模塊發(fā)送過來的時間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:所述信號源為接觸式開關(guān)信號源或接近式開關(guān)信號源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:所述接觸式開關(guān)信號源為觸發(fā)式開關(guān),在安裝完法蘭后觸發(fā)激活發(fā)出信號,芯片接收到信號后開始計時并保存。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:所述接近式開關(guān)信號源為電磁波信號源,安裝法蘭時,電磁波信號源接收到返回的電磁波就會激活發(fā)出信號,芯片接收到信號后開始計時并保存。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:電磁波信號源產(chǎn)生電磁波從法蘭端面、法蘭圓周或者法蘭螺栓孔發(fā)射出去,當(dāng)有外部物體接近法蘭端面、接近法蘭圓周或者進入法蘭螺栓孔,電磁波反射回來,接近開關(guān)產(chǎn)生有外部物體接近或者插入法蘭的信號,此信號傳輸給芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:所述接近式開關(guān)信號源包括磁體、非磁性體和傳感器,非磁性體設(shè)置在法蘭本體的螺栓孔處,所述非磁性體內(nèi)安裝了磁體和傳感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠快速讀出法蘭及管線累計使用時間的方法,其特征在于:所述接近式開關(guān)信號源包括磁體、非磁性體和傳感器,所述法蘭本體包括第一法蘭本體和第二法蘭本體,第二法蘭本體內(nèi)設(shè)置非磁性體,所述非磁性體內(nèi)安裝了磁體和傳感器,所述第二法蘭本體內(nèi)埋設(shè)芯片,所述第一法蘭本體為金屬法蘭本體。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種能夠快速讀出法蘭累計使用時間的方法,其特征在于:所述接近式開關(guān)信號源包括磁體、非磁性體和傳感器,所述法蘭本體包括第一法蘭本體和第二法蘭本體,所述第一法蘭本體內(nèi)設(shè)置第一非磁性體,第一非磁性體內(nèi)安裝磁體,所述第二法蘭本體內(nèi)設(shè)置第二非磁性體,第二非磁性體內(nèi)安裝有傳感器,所述第二法蘭本體內(nèi)埋設(shè)芯片。
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