[發(fā)明專利]一種加氫保護(hù)劑及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510769764.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106694051B | 公開(公告)日: | 2019-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐黎明;高玉蘭;呂振輝;張學(xué)輝;佟佳;孫海 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司撫順石油化工研究院 |
| 主分類號(hào): | B01J31/28 | 分類號(hào): | B01J31/28;B01J31/02;C10G45/06 |
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| 地址: | 100728 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 加氫 保護(hù) 及其 制備 方法 | ||
1.一種加氫保護(hù)劑,其特征在于,其包括加氫活性金屬組分和陶瓷載體,還包括有機(jī)化合物,有機(jī)化合物為通式(Ⅰ)所示的化合物,通式(Ⅰ)為:
(Ⅰ)
其中,X,Y相同或不同,選自堿金屬離子、NH4+或H;
Z為-NR1R2、-SR3或R4;R1與R2相同或不同,選自H、含1至20個(gè)碳原子的烷基、苯環(huán)、五元芳雜環(huán)或六元芳雜環(huán);R3選自堿金屬離子、NH4+或H;R4選自H、含1至20個(gè)碳原子的烷基、苯環(huán)、五元芳雜環(huán)或六元芳雜環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:在有機(jī)化合物中,所述的含1至 20個(gè)碳原子的烷基為有取代或無取代的烷基,取代基為羥基、羧基、醛基、羰基中的一種或幾種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:在有機(jī)化合物中,所述的含1至20個(gè)碳原子的烷基為含1至 20個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的烷基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:在有機(jī)化合物中,苯環(huán)、五元芳雜環(huán)、六元芳雜環(huán)為有取代的苯環(huán)、五元芳雜環(huán)、六元芳雜環(huán),取代基選自氟、氯、溴、硝基、含1至3個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的烷氧基中的一種或多種;芳雜環(huán)為吡啶、嘧啶、噻吩、呋喃或吡咯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:所述有機(jī)化合物為2,4,6-三巰基均三嗪鹽、2,4-二巰基均三嗪鹽、2-苯胺-4,6-二巰基均三嗪鹽、2-仲胺-4,6-二巰基均三嗪鹽、2-二正丁胺基-4,6-二巰基均三嗪二銨鹽、2-乙胺基-4,6-二巰基均三嗪二銨鹽、2-乙醇胺-4,6-二巰基均三嗪鹽、2-十八胺-4,6-二巰基均三嗪鹽、2-正丙醇-4,6-二巰基均三嗪鹽中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:所述有機(jī)化合物和加氫活性金屬以絡(luò)合物的形式負(fù)載于陶瓷載體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:所述有機(jī)化合物在催化劑中的含量以硫元素計(jì)為加氫活性金屬理論需硫量的85%~120%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:所述有機(jī)化合物在催化劑中的含量以硫元素計(jì)為加氫活性金屬理論需硫量的90%~110%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:所述加氫活性金屬組分為第VIB 族金屬和第VIII 族金屬中的一種或多種,以催化劑的重量為基準(zhǔn),加氫活性金屬以金屬元素計(jì)的重量含量為1wt%~15 wt%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:所述陶瓷為莫來石陶瓷、莫來石堇青石陶瓷、氧化鋯陶瓷、氧化鋯-氧化鋁陶瓷和氧化鋁陶瓷中的一種或多種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:陶瓷的平均孔直徑為0.1~20μm,孔隙率為3~60%。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的加氫保護(hù)劑,其特征在于:陶瓷的平均孔直徑為1~15μm,孔隙率為5~30%。
13.一種如權(quán)利要求1-12任一所述的加氫保護(hù)劑的制備方法,其特征在于包括如下步驟:將加氫活性金屬組分和有機(jī)化合物負(fù)載到載體上,在負(fù)載加氫活性金屬組分和有機(jī)化合物過程中包括至少一個(gè)低溫?zé)崽幚聿襟E并且不包括焙燒步驟。
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