[發明專利]一種LED芯片的制作方法及一種LED芯片

在審

• 申請號: 201510759712.6
• 申請日: 2015-11-09
• 公開（公告）號: CN105206724A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 艾國齊;徐平
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 長沙七合源專利代理事務所(普通合伙) 43214
• 代理人: 歐穎;鄭雋

1.一種LED芯片的制作方法，包括以下步驟：

1)在襯底材料上制作外延層，包括先制備N-GaN層，再制備P-GaN層；

2)在外延層上干法刻蝕出相應晶粒圖形，露出臺階和N型GaN層；

3)在外延層上蒸鍍形成透明導電層；

4)在透明導電層上蒸鍍金屬P電極，在N-GaN層上蒸鍍N電極；

5)在晶圓表面整面蒸鍍純氧化鋁作為鈍化層，純氧化鋁鈍化層的厚度為

6)通過光刻腐蝕工藝在氧化鋁鈍化層上露出P電極和N電極；

7)晶圓減薄和切割裂片得到所述LED芯片；

在上述步驟中，步驟2)和步驟3)的順序可以調換，且步驟4)和步驟5)的順序也可以調換。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟1)中襯底材料選自藍寶石、碳化硅和硅，且外延層厚度為5-8μm。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟3)中制備的透明導電層的透光率大于90％，且其電阻率的數量級小于等于10^-4。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟2)中刻蝕深度為1-2μm，切割道的寬度在10μm-30μm之間。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟4)中P電極與P-GaN層和透明導電層接觸，N電極與N-GaN層接觸。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟5)中的蒸鍍為電子束蒸發，且腔體溫度150-300℃，蒸發速率控制在腔體真空度高于10^-5數量級。

7.一種如權利要求1～6中任意一項所述方法制備得到的LED芯片，其特征在于：所述芯片在厚度方向上依次包括襯底材料(1)、N-GaN(2)、P-GaN(3)、透明導電層ITO(4)和純氧化鋁鈍化層(5)，還包括與P-GaN(3)和透明導電層ITO(4)接觸的P電極(6)和與N-GaN(2)接觸的N電極(7)，且所述純氧化鋁鈍化層(5)的厚度為