[發明專利]一種硅片倒角亮邊處理工裝有效
| 申請號: | 201510754311.1 | 申請日: | 2015-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN105261673A | 公開(公告)日: | 2016-01-20 |
| 發明(設計)人: | 陳建;王祿寶;王海慶 | 申請(專利權)人: | 江蘇美科硅能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 吳秀琴 |
| 地址: | 212200 江蘇省鎮*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 倒角 處理 工裝 | ||
技術領域
本發明涉及光伏技術領域,具體涉及一種硅片倒角亮邊處理工裝。
背景技術
在硅材料加工過程中,多晶硅片切割是硅材料切割加工中的一道關鍵工序,多晶硅片加工采取線切割,將整塊硅錠切割分成一定規格的正方形硅片,正方形四個角有倒角,倒角邊的長度為1~2mm。
目前在光伏多晶硅片切割領域中,倒角亮邊一直在硅片品質不良中占據一定的比例。在線切割過程中,鋼線出線口端的倒角,受到線弓、倒角處膠等因素的影響,易產生邊緣倒角亮邊。所述倒角亮邊成為硅片品質的一大不良因素,除去倒角亮邊,提高產品良率成為硅片切割加工領域中的一個新課題。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種硅片倒角亮邊處理工裝。
為解決上述技術問題,本發明的技術方案是:
一種硅片倒角亮邊處理工裝,其中,包括固定裝置以及承載裝置,所述固定裝置位于所述承載裝置內部;所述固定裝置包括固定底板、固定頂板以及固定側邊;所述固定頂板呈一體式結構,包括硅片固定部,第一固定凸起,第二固定凸起、第三固定凸起以及倒角磨削凸起;所述硅片固定部位于所述固定裝置中間位置,呈方形結構,所述硅片固定部上設有九個固定螺孔,所述固定螺孔在硅片固定部上呈3*3的形式均勻分布;所述第一凸起部位于所述硅片固定部一角,所述第一凸起部呈長方形結構,所述第一凸起部上設有第一定位螺孔,所述第一定位螺孔數量為7個,其中三個第一定位螺孔位于所述第一凸起部短邊邊緣,呈均勻設置;另四個第一定位螺孔位于所述第一定位凸起長邊邊緣,呈均勻分布,所述第一定位螺孔在第一定位凸起上呈“L”分布;所述倒角磨削凸起位于第一固定凸起一側,所述倒角磨削凸起呈梯形結構,位于所述硅片固定部一角;所述第二固定凸起位于倒角磨削凸起另一側,所述第二固定凸起呈長方形設置,所述第二固定凸起位于所述硅片固定部一角,所述第二固定凸起上設有第二定位螺孔,所述第二定位螺孔數量為4個,沿第二定位凸起長邊邊緣呈“一”字形均勻分布;所述第三固定凸起位于所述倒角磨削凸起對角位置,所述第三定位凸起上設有第三定位螺孔,所述第三定位螺孔在所述第三定位凸起一邊的邊緣呈“一”字形均勻分布;所述固定底板形狀大小與所述固定頂板一致,所述固定側邊包括第一側邊與第二側邊,所述第一側邊與第二側邊均呈L型結構,所述第一側邊位于所述第一固定凸起一側,所述第二側邊位于所述第二固定凸起一側,所述固定側邊頂部連接固定頂板,底部連接固定底板,所述固定頂板與固定底板通過固定側邊實現相互連接;
所述承載裝置呈一體式結構,包括固定位及固定塊,所述固定位呈方形,所述固定塊位于所述固定位底部,所述固定位呈方形結構,其頂部設有三角形凹槽,所述固定位上端兩側設有護邊,所述固定塊兩端呈直角梯形機構,所述固定塊中心凹角A為直角。
上述一種硅片倒角亮邊處理工裝,其中,所述第三定位螺孔數量為三個。
上述一種硅片倒角亮邊處理工裝,其中,所述承載裝置固定塊底部設有螺栓孔。
相比于現有技術,本發明的有益效果為:
本發明使用時將將多晶硅片固定裝置內部,所有硅片保持與下表面緊密接觸,保持方向一致性后,使用六角螺絲裝入定位螺孔,使得硅片定位在硅片固定部內,再使用六角螺絲裝入固定位螺孔,使得硅片在固定裝置內固定,再將固定裝置放入承載裝置內裝載,最后通過螺栓孔將承載裝置固定在倒角磨削設備上,進行磨削多晶硅片倒角亮邊。本發明一種處理硅片倒角亮邊工裝,在硅片加工生產過程中,多晶硅片倒角亮邊出現在出線口端,導致硅片品質降低,通過該裝置,可以解決多晶硅片倒角亮邊這一瑕疵,提高多晶硅片的品質,從而提升生產線產品良率。
避免多晶硅片產生不必要的等外品浪費,是提高多晶硅片良率的有效手段,在原有多晶硅片加工良率基礎上可以提高0.5%~1%,從而提高產業鏈的效益。
附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖。
圖2為固定裝置的結構圖。
圖3為固定裝置的俯視圖。
圖4為承載裝置俯視圖。
圖5為承載裝置X向示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





