[發明專利]一種高效磁過濾等離子體沉積制備DLC厚膜方法有效
| 申請號： | 201510750821.1 | 申請日： | 2015-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN105755442B | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發明（設計）人： | 廖斌;歐陽曉平;羅軍;張旭;吳先映;王宇東 | 申請（專利權）人： | 北京師范大學 |
| 主分類號： | C23C14/48 | 分類號： | C23C14/48;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/22 |
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| 地址： | 100875 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高效 過濾 等離子體 沉積 制備 dlc 方法 | ||
1.一種磁過濾等離子體沉積制備DLC厚膜方法，其特征為：
膜層結構包括離子注入“釘扎”層、金屬過渡層、金屬碳化物/DLC層，其中金屬碳化物/DLC層是金屬碳化物和DLC相互鑲嵌的結構；
膜層是通過金屬過渡層與金屬碳化物/DLC膜按調制周期沉積而成，調制周期2～8，其中金屬過渡層沉積時間2～6分鐘，金屬碳化物/DLC沉積時間20～40分鐘，金屬碳化物/DLC厚膜厚度30～55μm。
2.根據權利要求1一種磁過濾等離子體沉積制備DLC厚膜方法，其特征在于：所述的磁過濾等離子體沉積技術包括離子注入技術、陰極弧沉積技術和磁過濾技術相結合的沉積技術。
3.根據權利要求1一種磁過濾等離子體沉積制備DLC厚膜方法，其特征在于：所述的“釘扎”層是采用結合離子注入技術的金屬薄膜沉積技術，包括兩次金屬離子注入處理和一次磁過濾金屬薄膜沉積,注入所用的金屬離子源有Ti、Zr、Cr，沉積所用的金屬弧源有Ti、Zr、Cr。
4.根據權利要求1一種磁過濾等離子體沉積制備DLC厚膜方法，其特征在于：所述的金屬碳化物/DLC是由金屬等離子體和C等離子體共同沉積形成，自組織形成相互鑲嵌結構，表現為金屬碳化物鑲嵌的DLC結構。
5.根據權利要求1一種磁過濾等離子體沉積制備DLC厚膜方法，其特征在于：C等離子體是含碳的氣體源在磁場的作用下受金屬等離子體束流激發而離化為C等離子體，其中氣體源包括乙炔，甲烷，離化過程在磁過濾彎管中進行，離化率完全由金屬等離子體束流強度決定。
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