[發(fā)明專利]硅基薄膜和形成該薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510737903.2
• 申請日: 2015-11-03
• 公開（公告）號: CN105568249A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設計）人: 雷新建;A·麥利卡爾珠南;M·R·麥克唐納德;蕭滿超
• 申請（專利權(quán)）人: 氣體產(chǎn)品與化學公司
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐志明

1.在至少一部分襯底表面上形成硅基薄膜的方法，所述方法包 括：

在反應器中提供所述襯底的至少一個表面；

向所述反應器中引入至少一種具有下式A-D的有機硅前體化合 物：

其中X¹和X²各自獨立地選自氫原子、鹵素原子和具有式NR¹R²的有機氨基基團，其中R¹選自直鏈C₁-C₁₀烷基、支鏈C₃-C₁₀烷基、 C₃-C₁₀環(huán)烷基、直鏈或支鏈C₃-C₁₀烯基、直鏈或支鏈C₃-C₁₀炔基、C₁-C₆二烷基氨基、吸電子基團和C₆-C₁₀芳基；和R²選自氫原子、直鏈C₁-C₁₀烷基、支鏈C₃-C₁₀烷基、C₃-C₁₀環(huán)烷基、直鏈或支鏈C₃-C₆烯基、直 鏈或支鏈C₃-C₆炔基、C₁-C₆二烷基氨基、C₆-C₁₀芳基、直鏈C₁-C₆氟 化烷基、支鏈C₃-C₆氟化烷基、吸電子基團和C₄-C₁₀芳基；和任選地 其中R¹和R²連接在一起形成選自取代或未取代芳族環(huán)或者取代或未 取代脂族環(huán)的環(huán)；R³、R⁴和R⁵各自獨立地選自氫原子和甲基(CH₃)； 和R⁶選自氫原子、直鏈C₁-C₁₀烷基、支鏈C₃-C₁₀烷基、C₃-C₁₀環(huán)烷基、 直鏈或支鏈C₃-C₁₀烯基、直鏈或支鏈C₃-C₁₀炔基、C₁-C₆二烷基氨基、 吸電子基團和C₆-C₁₀芳基；和

通過選自下組的沉積工藝在所述至少一個表面上形成所述硅基 薄膜：化學氣相沉積(CVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、等離子體 增強化學氣相沉積(PECVD)、循環(huán)化學氣相沉積(CCVD)、等離子體 增強循環(huán)化學氣相沉積(PECCVD)、原子層沉積(ALD)和等離子體增強 原子層沉積(PEALD)，其中所述硅基薄膜包含通過X射線光電子光譜 法(XPS)測量的約0到約50原子重量百分比的硅。

2.權(quán)利要求1的方法，其中所述形成步驟在100℃-650℃范圍的 一個或多個溫度下進行。

3.權(quán)利要求1或2的方法，其中所述硅基薄膜選自碳化硅薄膜、 氮化硅薄膜和碳氮化硅薄膜。

4.權(quán)利要求1-3任一項的方法，其中所述沉積工藝是LPCVD或 包括PECVD。

5.權(quán)利要求1-4任一項的方法，還包括提供含氮前體，和其中所 述含氮前體的量與至少一種有機硅前體的量的比例為約0.25-約1。