[發明專利]包含將沉積腔室與處理腔室分開的隔離區域的處理系統有效
| 申請號: | 201510736705.4 | 申請日: | 2015-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN105590881B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | K·杰納基拉曼;A·B·馬利克;H·K·波內坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;D·R·杜波依斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 沉積 處理 分開 隔離 區域 系統 | ||
1.一種用于處理基板的系統,所述系統包括:
沉積腔室,其中,所述沉積腔室被配置成將膜沉積在所述基板上,所述沉積腔室包括:
第一基板支撐件,所述第一基板支撐件可被配置在下降位置和提升位置之間,所述第一基板支撐件具有第一基板接收表面,所述第一基板接收表面配置為在處理期間支撐所述基板;
處理腔室,其中,所述處理腔室被布置成從所述沉積腔室接收所述基板,并且傳送所述基板遠離所述沉積腔室,所述處理腔室進一步包括:
第二基板支撐件,所述第二基板支撐件可被配置在下降位置和提升位置之間,所述第二基板支撐件具有第二基板接收表面,所述第二基板接收表面配置為在處理期間支撐所述基板;以及
包括噴淋頭的膜特性更改裝置,所述膜特性更改裝置可操作以處理設置在所述處理腔室中的所述基板,從而更改在所述沉積腔室中所沉積的膜的特性;
至少一個隔離區域,所述至少一個隔離區域被定位成將所述沉積腔室與所述處理腔室分開,所述隔離區域直列地設置在所述沉積腔室與所述處理腔室之間;以及
運動機構,所述運動機構被配置成沿著在所述沉積腔室和所述處理腔室之間設置的導軌將所述基板從所述沉積腔室移動至所述處理腔室,所述運動機構包括:
基板載體,在所述基板載體中形成有基板接收匣,所述基板接收匣由弓形開口和所述基板載體中的槽限定,其中升降桿被配置為延伸穿過所述弓形開口以將所述基板定位在所述第一基板支撐件的所述第一基板接收表面上,且其中所述升降桿被配置為通過所述槽,以使得當所述升降桿被延伸時所述基板載體相對于所述升降桿可橫向移動。
2.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述運動機構進一步包括設置在所述沉積腔室外部的磁電機。
3.根據權利要求2所述的系統,其特征在于,所述沉積腔室選自由以下各項組成的組:化學氣相沉積(CVD)腔室、旋涂涂布腔室、可流動型(CVD)腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、原子蒸氣沉積(ALD)腔室以及外延沉積腔室。
4.根據權利要求3所述的系統,其特征在于,所述處理腔室選自由以下各項組成的組:熱處理腔室、激光處理腔室、電子束處理腔室、UV處理腔室、離子束注入腔室以及離子浸沒注入腔室。
5.根據權利要求3所述的系統,其特征在于,所述處理腔室是退火腔室。
6.根據權利要求5所述的系統,其特征在于,所述退火腔室是快速熱退火腔室。
7.根據權利要求4-6中任一項所述的系統,其特征在于,所述隔離區域包括:
氣幕。
8.根據權利要求4-6中任一項所述的系統,其特征在于,所述隔離區域包括:
狹縫閥。
9.根據權利要求4-6中任一項所述的系統,進一步包括:
負載鎖定站,所述沉積腔室被設置在所述負載鎖定站與所述處理腔室之間。
10.根據權利要求1所述的系統,進一步包括:
在所述沉積腔室下游的第二處理腔室。
11.根據權利要求1所述的系統,進一步包括:
在所述處理腔室上游的第二沉積腔室。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





