[發(fā)明專利]半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510736117.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-11-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105575985B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉漢鼎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 光澄科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;祁建國(guó) |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹縣*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 光學(xué) 感測(cè)器 | ||
1.一種半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，包含多個(gè)感測(cè)單元，用來(lái)感測(cè)一入射光信號(hào)以產(chǎn)生一電信號(hào)，其特征在于，每一感測(cè)單元包含：
一基板，具有一第一表面與該第一表面相對(duì)的一第二表面；
一感光元件，其材料與該基板的材料不同，用來(lái)將該入射光信號(hào)轉(zhuǎn)換為該電信號(hào)；
一透鏡，其形成于該基板的該第一表面上且材料包含與該基板相同的材料，用來(lái)改變?cè)撊肷涔庑盘?hào)的傳輸路徑，以將該入射光信號(hào)導(dǎo)向該感光元件；以及
一光屏蔽元件，形成于該基板的該第二表面上且圍繞該感光元件，用來(lái)改變?cè)撊肷涔庑盘?hào)經(jīng)過(guò)該透鏡后的傳輸路徑或傳輸距離，以避免該入射光信號(hào)到達(dá)該感測(cè)單元的一相鄰感測(cè)單元的感光元件；
其中該入射光經(jīng)由該透鏡及該基板直接進(jìn)入該感光元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光屏蔽元件包含：
一光局限元件，位于該感光元件的側(cè)面，并且與該感光元件位于同一平面；以及
一光反射元件，位于該感光元件的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光局限元件的材料與該感光元件相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光局限元件與該感光元件以同一半導(dǎo)體工藝步驟完成，且兩者的厚度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光局限元件以導(dǎo)電性材料制成，并與該感光元件電連接，以作為該感測(cè)單元的電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光反射元件以導(dǎo)電性材料制成，并與該感光元件電連接，以作為該感測(cè)單元的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該感光元件位該基板相對(duì)于該透鏡的另一側(cè)的表面，且該光局限元件制作于該基板與該感光元件同側(cè)的表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光屏蔽元件以導(dǎo)電性材料制成，并與該感光元件電連接，以作為該感測(cè)單元的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該基板的材料的能隙大于該感光元件的材料的能隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該基板的材料為硅，該感光元件的材料為鍺。
11.一種半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，用來(lái)感測(cè)一入射光信號(hào)以產(chǎn)生一電信號(hào)，其特征在于，包含：
一基板，具有一第一表面與該第一表面相對(duì)的一第二表面；
一感光元件，其材料與該基板的材料不同，用來(lái)將該入射光信號(hào)轉(zhuǎn)換為該電信號(hào)；
一透鏡，其形成于該基板的該第一表面上且材料包含與該基板相同的材料，用來(lái)改變?cè)撊肷涔庑盘?hào)的傳輸路徑，以將該入射光信號(hào)導(dǎo)向該感光元件；
一光局限元件，形成于該基板的該第二表面上且位于該感光元件的側(cè)面并且與該感光元件位于同一平面，用來(lái)吸收或反射經(jīng)過(guò)該透鏡后的該入射光信號(hào)；以及
一光反射元件，位于該感光元件的上方，用來(lái)反射經(jīng)過(guò)該感光元件后的該入射光信號(hào)；
其中該入射光經(jīng)由該透鏡及該基板直接進(jìn)入該感光元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光局限元件的材料與該感光元件相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光局限元件與該感光元件以同一半導(dǎo)體工藝步驟完成，且兩者的厚度相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該光局限元件以導(dǎo)電性材料制成，并與該感光元件電連接，以作為該感光元件的電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
