[發明專利]一種半導體量子點激光器及其制備方法在審
| 申請號： | 201510734977.0 | 申請日： | 2015-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN105337167A | 公開（公告）日： | 2016-02-17 |
| 發明（設計）人： | 楊宇;張杰;王茺;張璋;張瑾;王榮飛 | 申請（專利權）人： | 云南大學 |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 650091 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 量子 激光器 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體量子點激光器件，整體結構由多層不同材質復合組成，包括：襯底層，其特征在于，所述襯底上包含有硅層和二氧化硅層，所述二氧化硅層上設置有石墨烯層，所述石墨烯層上在室溫下設置有量子點層。
2.根據權利要求1所述的量子點激光器件，其特征在于，所述襯底層具體為高摻雜的單晶硅片，厚度為500um，以及二氧化硅層厚度為300nm。
3.根據權利要求1所述的量子點激光器件，其特征在于，所述的石墨烯材料是用于增強器件的發光性能，此外，還可以選用MoS2、WSe2、以及Mo的硫化物中的一種。
4.根據權利要求1所述的量子點激光器件，其特征在于，所述的石墨烯材料，其厚度在1-10單原子層之間。
5.根據權利要求1所述的量子點激光器件，其特征在于，所述的量子點層的厚度為1-10nm。
6.根據權利要求1所述的量子點激光器件，其特征在于，設置在所述量子點發光層與二氧化硅層之間的增強發光層的邊緣與所述的量子點發光層的邊緣平齊。
7.根據權利要求1所述的量子點激光器件，其特征在于，所述量子點材料選自Ge量子點、InAs量子點、InGaAs量子點中的一種。
8.根據權利要求1所述的量子點激光器件，其特征在于，所述量子點材料是在室溫下制備的。
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