[發(fā)明專利]一種可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物及其應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510734399.0
• 申請(qǐng)日: 2015-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106632283A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔智豪;吳凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號(hào): C07D405/14
• 分類號(hào): C07D405/14;C09K11/06;H01L51/54
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物，其特征在于，其結(jié)構(gòu)為通式(Ⅰ)所示的化合物：

其中，R1～R8中任意2個(gè)為胺基，另外6個(gè)各自獨(dú)立地為非胺基的基團(tuán)；A1～A4各自獨(dú)立地為非胺基的基團(tuán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物，其特征在于，所述非胺基的基團(tuán)為：氫、鹵素、氰基、C1～C10烷基、取代或不取代的C3～C10環(huán)烷基、C1～C10烷氧基、C2～C10鏈烯基、取代或不取代的C6～C30芳香烴基、取代或不取代的C10～C30稠環(huán)芳烴和C3～C30雜環(huán)芳烴、取代或不取代的C7～C30芳烷基、C3～C30丙烯氧基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物，其特征在于，所述苯并芘衍生物為：

。

4.一種含有權(quán)利要求1或2所述的可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物的OLED電子傳輸層材料。

5.一種含有權(quán)利要求1或2所述的可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物的OLED發(fā)光層材料。

6.一種含有權(quán)利要求1或2所述的可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物的OLED空穴傳輸層材料。

7.一種含有權(quán)利要求1或2所述的可用于電致藍(lán)色發(fā)光材料的苯并芘衍生物的OLED器件。

8.一種如權(quán)利要求7所述OLED器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

1)將透明陽(yáng)極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；

2)將處理后的ITO基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備，首先蒸鍍空穴傳輸層材料作為空穴傳輸層；

3)然后蒸鍍發(fā)光層，混合蒸鍍發(fā)光層材料，以及5--10％的Ir(ppy)3；

4)隨后采用電子傳輸層材料，蒸鍍一層電子傳輸層，隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF，隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al；

其中，所述空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料其中之一為通式(Ⅰ)所示的化合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，

所述空穴傳輸層的厚度為30-50nm；

所述發(fā)光層的厚度為10-120nm；

所述電子傳輸層的厚度為20-40nm。