[發(fā)明專利]動態(tài)隨機存取存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510734345.4
• 申請日: 2015-11-03
• 公開（公告）號: CN106653754B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 林志豪
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明提供一種動態(tài)隨機存取存儲器，包括基底、多個隔離結構、多條埋入式字元線、多條位元線及多個電容器。基底包括多個主動區(qū)，主動區(qū)被配置成帶狀且排列成陣列。多個隔離結構設置于基底的溝渠中，各隔離結構設置于兩個相鄰主動區(qū)之間。埋入式字元線沿第一方向平行設置于基底的溝渠中，每一埋入式字元線將排列成同一列的主動區(qū)分為第一接觸區(qū)與第二接觸區(qū)。位元線沿第二方向平行設置于基底上，且橫跨埋入式字元線。主動區(qū)的長邊方向與第二方向呈現(xiàn)非正交，每一位元線連接排列成同一行的主動區(qū)的第一接觸區(qū)。電容器分別電性連接主動區(qū)的第二接觸區(qū)。因此可有效減少記憶單元間的干擾問題，并增加制程裕度。

技術領域

本發(fā)明涉及一種存儲器裝置，尤其涉及一種具有埋入式字元線的動態(tài)隨機存取存儲器。

背景技術

動態(tài)隨機存取存儲器屬于一種揮發(fā)性存儲器，其是由多個記憶胞構成。每一個記憶胞主要是由一個晶體管與一個由晶體管所操控的電容器所構成，且每一個記憶胞通過字元線與位元線彼此電性連接。

為提高動態(tài)隨機存取存儲器的積集度以加快元件的操作速度，以及符合消費者對于小型化電子裝置的需求，近年來發(fā)展出埋入式字元線動態(tài)隨機存取存儲器(buried wordline DRAM)，以滿足上述種種需求。

目前采用的動態(tài)隨機存取存儲器的主流布局為兩個記憶胞共用一個位元線接觸窗，而兩個記憶胞分別由兩條字元線控制。當其中一個記憶胞字元線開啟/關閉(on/off)以控制其中一個記憶胞時，與上述記憶胞共用同一個位元線接觸窗的另一個記憶胞容易被干擾。此一情況在記憶胞特征尺寸微縮時(即當記憶胞與記憶胞之間的距離變得更近)，則干擾會更為嚴重。

而且，由于字元線與字元線之間的間距僅有1特征尺寸(Feature size)，因此將字元線要拉線到記憶胞陣列邊緣制作字元線拉出接觸窗時，容易在制程中發(fā)生字元線拉出接觸窗至字元線短路的問題。習知的一種作法會將兩相鄰字元線的距離于末端拉開，而呈現(xiàn)類似于Y形的結構，以增加接觸窗的制程裕度(process window)。然而此種作法必須額外占用記憶胞陣列邊緣的面積導致晶片尺寸增加，且無法應用于字元線的兩端在記憶胞陣列邊緣均有拉出接觸窗的設計，而無法減少字元線斷線時的損失。

此外，由于記憶胞布局的兩端還分別設置有電容器接觸窗，且電容器接觸窗的橋接裕度(bridge window)會取決于相鄰的兩個電容器接觸窗之間的間距。現(xiàn)行的布局中，相鄰的兩個電容器接觸窗之間的間距僅有1特征尺寸(1F)。受限于布局設計，當制程微縮時，電容器接觸窗的橋接裕度將變得更小。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種動態(tài)隨機存取存儲器，可有效減少記憶單元間的干擾問題，并增加制程裕度。

本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器，包括基底、多個隔離結構、多條埋入式字元線、多條位元線以及多個電容器。基底包括多個主動區(qū)，主動區(qū)被配置成帶狀且排列成一陣列。多個隔離結構，設置于所述基底的溝渠中，每一所述隔離結構設置于兩個相鄰的所述主動區(qū)之間；多條埋入式字元線沿第一方向平行設置于基底的溝渠中，每一埋入式字元線將排列成同一列的主動區(qū)分為第一接觸區(qū)與第二接觸區(qū)。多條位元線沿第二方向平行設置于基底上，且橫跨埋入式字元線。主動區(qū)的長邊方向與第二方向呈現(xiàn)非正交，每一位元線連接排列成同一行的主動區(qū)的第一接觸區(qū)。多個電容器分別電性連接所述主動區(qū)的所述第二接觸區(qū)。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的主動區(qū)的長邊方向與第二方向的夾角為15°～50°。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一方向上，相鄰的主動區(qū)之間具有一個特征尺寸間距。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的相鄰兩列的主動區(qū)成鏡像配置。

在本發(fā)明的一實施例中，在相鄰的字元線之間設置有兩個第一接觸區(qū)或兩個第二接觸區(qū)。

在本發(fā)明的一實施例中，相鄰的埋入式字元線之間的間距大于一個特征尺寸，且在第一方向上，相鄰的主動區(qū)之間具有一個特征尺寸間距。