[發(fā)明專利]處理裝置以及處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510733793.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105575792B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 平林英明;長(zhǎng)島裕次 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L21/306 | 分類號(hào): | H01L21/306;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
實(shí)施方式的處理裝置具備:收納氫氟酸緩沖液的收納部;使用上述氫氟酸緩沖液進(jìn)行處理物的處理的處理部;將上述收納部所收納的上述氫氟酸緩沖液向上述處理部供給的供給部;將在上述處理部中使用過(guò)的上述氫氟酸緩沖液回收而向上述收納部供給的回收部;對(duì)上述氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量進(jìn)行運(yùn)算的運(yùn)算部;以及將包含氨和水在內(nèi)、與上述運(yùn)算出的氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量相同量的補(bǔ)充液向上述氫氟酸緩沖液供給的補(bǔ)充液供給部。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)基于2014年11月4日提出的日本在先申請(qǐng)第2014-224480號(hào)并要求其優(yōu)先權(quán),該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用記入本申請(qǐng)中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及處理裝置以及處理方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置、平板顯示器等電子設(shè)備的制造中,執(zhí)行使用了氫氟酸緩沖液(BHF;buffered hydrogen fluoride)的蝕刻處理和洗凈處理等。
在使用了氫氟酸緩沖液的處理中,為了應(yīng)對(duì)微細(xì)化而不斷地將氫氟酸緩沖液的處理速率(例如蝕刻處理中的蝕刻速率、洗凈處理中的除去速率等)設(shè)定得低。
此外,在使用了氫氟酸緩沖液的處理中,不斷地將已使用的氫氟酸緩沖液回收而再利用。
但是,若反復(fù)使用相同的氫氟酸緩沖液,則有處理速率逐漸變高的問(wèn)題。
若處理速率逐漸變高,則使得氧化膜等的除去量逐漸增加等,成為電子設(shè)備的品質(zhì)不均勻的主要原因。
因此,期望即使是再利用氫氟酸緩沖液的情況也能夠抑制處理速率的變動(dòng)的技術(shù)的開(kāi)發(fā)。
發(fā)明內(nèi)容
一技術(shù)方案的處理裝置具備:收納部,收納氫氟酸緩沖液;處理部,使用上述氫氟酸緩沖液來(lái)進(jìn)行處理物的處理;供給部,將上述收納部所收納的上述氫氟酸緩沖液向上述處理部供給;回收部,將在上述處理部中使用后的上述氫氟酸緩沖液回收而向上述收納部供給;運(yùn)算部,對(duì)上述氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量進(jìn)行運(yùn)算;以及補(bǔ)充液供給部,將包含氨和水在內(nèi)、與運(yùn)算后的上述氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量相同量的補(bǔ)充液向上述氫氟酸緩沖液供給。
另一技術(shù)方案的處理方法,具備如下工序:使用氫氟酸緩沖液來(lái)進(jìn)行處理物的處理的工序;將進(jìn)行上述處理物的處理的工序中所使用過(guò)的上述氫氟酸緩沖液回收并再利用的工序;求取所回收的上述氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量的工序;以及將含有氨和水在內(nèi)、與所求出的上述氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量相同量的補(bǔ)充液向進(jìn)行再利用的上述氫氟酸緩沖液供給的工序。
附圖說(shuō)明
圖1是用于例示本實(shí)施方式的處理裝置1的示意圖。
圖2是用于例示處理液100的蒸發(fā)量和蝕刻速率(處理速率)的關(guān)系的曲線圖。
圖3是用于例示補(bǔ)充液110的氨的濃度與蝕刻速率的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施方式的處理裝置具備:收納氫氟酸緩沖液的收納部;使用上述氫氟酸緩沖液進(jìn)行處理物的處理的處理部;將上述收納部所收納的上述氫氟酸緩沖液向上述處理部供給的供給部;將在上述處理部中使用過(guò)的上述氫氟酸緩沖液回收而向上述收納部供給的回收部;對(duì)上述氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量進(jìn)行運(yùn)算的運(yùn)算部;以及將包含氨和水在內(nèi)、與上述運(yùn)算出的氫氟酸緩沖液的蒸發(fā)量相同量的補(bǔ)充液向上述氫氟酸緩沖液供給的補(bǔ)充液供給部。
以下,參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行例示。
圖1是用于例示本實(shí)施方式的處理裝置1的示意圖。
如圖1所示,處理裝置1中設(shè)有處理部2、處理液供給回收部3、補(bǔ)充液供給部4以及控制部5。
處理部2使用氫氟酸緩沖液(以下稱為處理液100)來(lái)進(jìn)行處理物的處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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