[發(fā)明專利]直拉單晶用加熱器及直拉單晶方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510729021.1 | 申請日： | 2015-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN106637387B | 公開（公告）日： | 2019-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳丹 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安通鑫半導(dǎo)體輔料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/14 | 分類號： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 61214 西安弘理專利事務(wù)所 | 代理人： | 羅笛 |
| 地址： | 710300 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 狹槽 直拉單晶 單晶硅 發(fā)熱單元 加熱段 加熱器 熔體 縱向溫度梯度 加熱器主體 裝料 產(chǎn)品品質(zhì) 等徑生長 第二端部 第一端部 交替設(shè)置 開口結(jié)構(gòu) 熔體表面 溫度梯度 拉制 低缺陷 低雜質(zhì) 高品質(zhì) 放肩 化料 拉速 熔接 引晶 籽晶 收尾 開口 優(yōu)化 | ||
1.直拉單晶用加熱器，其特征在于，包括加熱器主體，加熱器主體具有相對的第一端部(10)和第二端部(20)，所述加熱器主體具有多個自所述第一端部(10)向所述第二端部(20)延伸的第一狹槽(1)以及多個自所述第二端部(20)向所述第一端部(10)延伸的第二狹槽(2)，所述多個第一狹槽(1)與多個第二狹槽(2)交替設(shè)置，相鄰的兩個第一狹槽(1)之間形成一個發(fā)熱單元；
每個所述發(fā)熱單元包括沿所述加熱器主體的軸向設(shè)置的第一加熱段(3)與第二加熱段(4)，所述第一加熱段(3)或第二加熱段(4)形成于一個第一狹槽(1)與一個相鄰的第二狹槽(2)之間，所述第一加熱段(3)和/或第二加熱段(4)具有第一開口(7)，所述第一開口(7)靠近第一端部(10)或第二端部(20)；所述發(fā)熱單元還包括垂直于所述加熱器主體的軸向設(shè)置的第一連接加熱段(5)以及第二連接加熱段(6)，所述第一連接加熱段(5)靠近所述第一端部(10)、并連接于所述第一加熱段(3)和第二加熱段(4)之間，所述第二連接加熱段(6)靠近所述第二端部(20)、且用于連接兩個相鄰的發(fā)熱單元，所述第一連接加熱段(5)或第二連接加熱段(6)具有與所述第二狹槽(2)或第一狹槽(1)獨(dú)立的第二開口(8)；
自所述第二連接加熱段(6)向所述第一連接加熱段(5)方向，所述第一開口(7)垂直所述加熱器主體的軸向方向截面積逐漸增大。
2.如權(quán)利要求1所述的直拉單晶用加熱器，其特征在于，所述第二開口(8)開設(shè)于所述第一連接加熱段(5)，而且所述第一開口(7)靠近所述第一連接加熱段(5)。
3.直拉單晶方法，其特征在于，包括以下步驟：
裝料；
利用如權(quán)利要求1或2所述的直拉單晶用加熱器化料以形成熔體；
調(diào)節(jié)所述直拉單晶用加熱器的功率，控制所述熔體的縱向溫度梯度，將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接，并依次進(jìn)行引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑生長及收尾后即得單晶硅。
4.如權(quán)利要求3所述的直拉單晶方法，其特征在于，所述直拉單晶用加熱器包括加熱器主體，加熱器主體具有相對的第一端部(10)和第二端部(20)，所述加熱器主體具有多個自所述第一端部(10)向所述第二端部(20)延伸的第一狹槽(1)以及多個自所述第二端部(20)向所述第一端部(10)延伸的第二狹槽(2)，所述多個第一狹槽(1)與多個第二狹槽(2)交替設(shè)置，相鄰的兩個第一狹槽(1)之間形成一個發(fā)熱單元，每個發(fā)熱單元均包括多個相連接的加熱段，至少一個所述加熱段具有第一開口(7)。
5.如權(quán)利要求4所述的直拉單晶方法，其特征在于，所述發(fā)熱單元包括沿所述加熱器主體的軸向設(shè)置的第一加熱段(3)與第二加熱段(4)，所述第一加熱段(3)或第二加熱段(4)形成于一個第一狹槽(1)與一個相鄰的第二狹槽(2)之間，所述第一開口(7)開設(shè)于所述第一加熱段(3)和/或第二加熱段(4)，并靠近第一端部(10)或第二端部(20)。
6.如權(quán)利要求5所述的直拉單晶方法，其特征在于，所述發(fā)熱單元還包括垂直于所述加熱器主體的軸向設(shè)置的第一連接加熱段(5)以及第二連接加熱段(6)，所述第一連接加熱段(5)靠近所述第一端部(10)、并連接于所述第一加熱段(3)和第二加熱段(4)之間，所述第二連接加熱段(6)靠近所述第二端部(20)、且用于連接兩個相鄰的發(fā)熱單元，所述第一連接加熱段(5)或第二連接加熱段(6)具有與所述第二狹槽(2)或第一狹槽(1)獨(dú)立的第二開口(8)。
7.如權(quán)利要求6所述的直拉單晶方法，其特征在于，自所述第二連接加熱段(6)向所述第一連接加熱段(5)方向，所述第一開口(7)垂直所述加熱器主體的軸向方向截面積逐漸增大。
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