[發明專利]感光芯片封裝結構及其封裝方法有效
| 申請號: | 201510726417.0 | 申請日: | 2015-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN105244360B | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發明(設計)人: | 王之奇;謝國梁 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215026 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感光 芯片 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種感光芯片封裝結構,包括:
感光芯片,具有彼此相對的第一面以及第二面,所述第一面設置有感光區;
保護蓋板,具有彼此相對的第一表面以及第二表面,所述第一表面覆蓋至所述第一面;
遮光層,設置于所述保護蓋板的第二表面,所述遮光層上設置有開口,所述開口暴露所述感光區;
其特征在于:
所述遮光層包括位于所述第二表面上的吸光層以及位于所述吸光層上的金屬層,
所述吸光層的材質為黑膠或黑色感光膠。
2.根據權利要求1所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述金屬層經過表面黑化處理。
3.根據權利要求2所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述金屬層的材質為鋁。
4.根據權利要求1所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述保護蓋板的第一表面設置有支撐壩,所述支撐壩與所述保護蓋板的第一表面形成空腔,所述感光區位于所述空腔內。
5.根據權利要求1所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述感光芯片封裝結構還包括:設置于所述第一面且位于所述感光區外的焊墊;
從所述第二面向所述第一面延伸的通孔,所述通孔暴露出所述焊墊;
覆蓋所述第二面和所述通孔側壁表面的絕緣層;
位于所述絕緣層上以及通孔底部的金屬布線層,所述金屬布線層與所述焊墊電連接;
位于所述金屬布線層以及所述絕緣層上的阻焊層,所述阻焊層上設置有開孔,所述開孔底部暴露出金屬布線層;
填充所述開孔的焊球,所述焊球與所述金屬布線層電連接。
6.一種感光芯片的封裝方法,包括:
提供晶圓,具有多顆陣列排布的感光芯片,具有彼此相對的第一面以及第二面,所述第一面設置有感光區;
提供基板,具有彼此相對的第一表面以及第二表面;
將所述晶圓與所述基板對位壓合,使所述第一表面覆蓋至所述第一面;
切割所述晶圓以及基板形成多顆感光芯片封裝結構;
其特征在于:
在所述基板的第二表面上形成遮光層,所述遮光層上設置與所述感光芯片對應的開口,所述開口暴露所述感光區;
所述遮光層包括位于所述第二表面上的吸光層以及位于所述吸光層上的金屬層,
所述吸光層的材質為黑膠或黑色感光膠。
7.根據權利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述吸光層的材質為黑膠,形成所述遮光層的步驟包括:
在所述基板的第二表面整面涂布黑膠形成黑膠層;
在所述黑膠層上沉積金屬材料形成金屬材料層;
對所述金屬材料層進行表面黑化處理;
在所述金屬材料層上刻蝕出開口形成所述金屬層;
以所述金屬層為掩膜,在所述黑膠層上刻蝕出開口形成所述吸光層。
8.根據權利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述吸光層的材質為黑色感光膠形成所述遮光層的步驟包括:
在所述基板的第二表面整面涂布黑色感光膠形成黑色感光膠層;
在所述黑色感光膠層上沉積金屬材料形成金屬材料層;
對所述金屬材料層進行表面黑化處理;
在所述金屬材料層上刻蝕出開口形成所述金屬層;
以所述金屬層為光阻層,通過曝光顯影工藝在所述黑色感光膠層上形成開口從而獲得所述吸光層。
9.根據權利要求7或8所述的封裝方法,其特征在于,所述金屬層為鋁層。
10.根據權利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述感光芯片還包括設置于第一面且位于所述感光區外的焊墊;在將晶圓與所述基板對位壓合之后還包括:
在所述晶圓的第二面形成向所述第一面延伸的通孔,所述通孔暴露出所述焊墊;
形成覆蓋所述晶圓的第二面和所述通孔側壁表面的絕緣層;
形成位于所述絕緣層上以及通孔底部的金屬布線層,所述金屬布線層與所述焊墊電連接;
形成位于所述金屬布線層以及所述絕緣層上的阻焊層,所述阻焊層上設置有開孔,所述開孔底部暴露出金屬布線層;
形成填充所述開孔的焊球,所述焊球與所述金屬布線層電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





